掺杂,改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率,它们之间有何区别

如题所述

掺杂在一般能浓度下对载流子的迁移率影响不大,主要是通过增加杂质载流子浓度改变电导率.只有在重掺杂时才会是迁移率下降,不过载流子浓度增加的更多一些,总体使电导率升高.
温度的影响对于本征半导体主要是是迁移率下降,影响电导率.(但是对于掺杂半导体比较麻烦对于迁移率和载流子都会有影响)
光照激发则是产生光生非平衡载流子,改变载流子浓度产生附加电导.(但其迁移率基本不变)
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第1个回答  2016-10-28
惨杂主要是为提高自由电子或空穴浓度,来增加复合效率,从而改变导电率的;而改变温度和光照主要是通过改变电子获得的能量大小,从而使电子跃迁速度和能级改变,来改变导电率的。
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