外斯理论
P. -E.外斯在1907年首先提出铁磁性的分子场理论和磁畴假说。
根据这个理论，在居里温度以下，铁磁物质内部分为若干饱和磁化区域——磁畴，每一磁畴内部各原子磁矩由于强分子场作用，使它们排列到一共同方向，即自发地磁化到饱和强度，但各磁畴的自发磁化强度，方向杂乱，互相抵消，总的不表现宏观磁化强度。在较弱的外磁场作用下，就足以使各磁畴的自发磁化强度部分地趋向一致，从而表现出一定的宏观磁化强度。现代实验完全证明了磁畴是确实存在的，约为0.1～0.01厘米的横向宽度。
外斯分子场理论证明了居里温度的存在。外斯假设，促使原子磁矩排列到共同方向的分子场正比于畴内自发磁化强度M（单位体积），即分子场表示为
Hm=NwM⑴
式中NW为外斯分子场常数。再加上外磁场H0，则原子磁矩所受的磁场为 H=H0+NwM。⑵
设原子的总角动量量子数为J，按照P.朗之万顺磁性量子理论（见顺磁性），可得物质的磁化强度为 M=NJguBBJ⑶
式中BJ(x）为布里渊函数，N为单位体积内的原子数，g为光谱裂距因子（能级分裂的量度） x=guB（H0+NwM）J/KT⑷
式中k为玻耳兹曼常数，T为绝对温度。在T<Tc（居里温度）时，解出式⑶和⑷联立方程组，即可求出对应于外磁场H0的磁化强度。特别是，在H0=0时，M值即表示自发磁化强度。由于式⑶和式⑷很难直接求解，常采用图解法求得式⑶和式⑷两条图线的交点p，以定出M(T），
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