静态测量判断MOS管和IGBT管的好坏
先将两个管子的管脚短路放掉静电，MOS管的D极与S极之间有个PN接，正向导通反向截止，于是有Rgd = Rgs = Rds =无穷大，Rsd=几千欧。IGBT管的G极到c、 e极的电阻应为无穷大，即Rgc= Rge =无穷大，而IGBT管的之间有阻尼-极管的存在，因此具有单向导电反向截止特性，即Rce =无穷大，Rec= 几千欧。从这里只能用万用表的电阻档判断出管子的好坏，却区分不出是那种管子。测量得阻值很小，则说明管子被击穿，测量阻值很大，说明管子内部断路。
动态测量区分MOS管和IGBT管
先用万用表给管子的栅极施加电压，是场效应管建立起沟道，然后测量D、S及c、 e之间的阻值，根据阻值的差异来区分MOS管和IGBT管。用万用表的电阻档测量两个管子的D、S及c、 e之间的电阻，由于场效应管已经建立沟道，Rds= Rsd≈0,而Rce之间呈现电阻Rce,晶体三极管处于放大状态的导通电阻，Rec为内部阻尼二极管的导通电阻，两者均为几千欧。因此根据测量可知，两个管子的导通程度不一样，MOS管的D、S之间电阻值是远小于IGBT管c、e之间的电阻值，于是可以分辨出MOS与IGBT
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