CMOS反相器的电路结构是怎样的?它有哪些特点?

如题

反相器是可以将输入信号的相位反转180度,这种电路应用在模拟电路,比如说音频放大,时钟振荡器等。



CMOS反相器
CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成,其中V1为NMOS管,称驱动管,V2为PMOS管,称负载管。
NMOS管的栅源开启电压UTN为正值,PMOS管的栅源开启电压是负值,其数值范围在2~5V之间。
为了使电路能正常工作,要求电源电压UDD>(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作,其适用范围较宽。工作原理:当UI=UIL=0V时,UGS1=0,因此V1管截止,而此时|UGS2|>|UTP|,所以V2导通,且导通内阻很低,所以UO=UOH≈UDD, 即输出为高电平。
当UI=UIH=UDD时,UGS1=UDD>UTN,V1导通,而UGS2=0<|UTP|,因此V2截止。此时UO=UOL≈0,即输出为低电平。 可见,CMOS反相器实现了逻辑非的功能。
CMOS反相器的主要特性:在AB段由于V1截止,阻抗很高,所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。
在CD段V2截止,阻抗很高,所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。
只有在BC段,V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2,并且在UI=1/2UDD附近,iD最大。

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