高斯定理：做一个半径为r、高为h的圆柱面，柱面轴线与带电直线重合，柱面上的场强就是直线外与直线距离r的场强：E*2πrh=λh/ε0-->E=λ/2πε0*r，其中λ为带电直线的电荷线密度。
在静电学中，表明在闭合曲面内的电荷之和与产生的电场在该闭合曲面上的电通量积分之间的关系。高斯定律（Gauss'law）表明在闭合曲面内的电荷分布与产生的电场之间的关系。
高斯定律在静电场情况下类比于应用在磁场学的安培定律，而二者都被集中在麦克斯韦方程组中。因为数学上的相似性，高斯定律也可以应用于其它由平方反比律决定的物理量，例如引力或者辐照度。
扩展资料
各类场强公式
真空中点电荷场强公式：E=KQ/r2 （k为静电力常量k=9.0×10^9N.m^2/C^2）
匀强电场场强公式：E=U/d（d为沿场强方向两点间距离）
任何电场中都适用的定义式：E=F/q
平行板电容器间的场强E=U/d=4πkQ/eS
介质中点电荷的场强：E=kQ/(r2)
均匀带电球壳的电场：E内=0，E外=k×Q/r2
无限长直线的电场强度：E=2kρ/r（ρ为电荷线密度，r为与直线距离）
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