K075PM是一种功率MOSFET，通常可以通过几种方法来测试其好如下：
1. 使用万用表测试导通情况：将万用表调至二极管测试档位，将正极接在MOSFET的源极上，将负极接在漏极上，此时如果MOSFET正常，万用表应该显示导通。
2. 使用万用表测试电阻情况：将万用表调至电阻测试档位，将正极接在MOSFET的源极上，将负极接在漏极上，此时如果MOSFET正常，万用表应该显示一个较小的电阻值。
3. 使用示波器测试电压波形：将MOSFET连接到电路中，使用示波器测试其漏极和源极之间的电压波形，如果波形正常，说明MOSFET工作正常。
4. 使用特殊测试设备：有些专业的测试设备可以对MOSFET进行全面的测试，包括静态和动态参数的测试，可以更准确地判断MOSFET的好坏。
需要注意的是，在测试MOSFET时，应该遵循相关的安全操作规程，避免因误操作造成损坏或危险。
阈值电压影响因素：
一、背栅的掺杂。
backgate的掺杂是决定阈值电压的主要因素。如果背栅掺杂越多，它的反转就越难。如果想要反转就要更强的电场，阈值电压就上升了。MOS管的背栅掺杂能通过在介电层表面下的稍微的implant来调节。这种implant被叫做阈值调整implant（或Vt调整implant）。
如果implant是由受主组成的，那么硅表面反转就更难，阈值电压因此会升高。如果implant是由施主组成的，那么硅表面反转会更容易，阈值电压降低。
如果注入的donors够多，硅表面实际上就反向掺杂了。所以，在零偏置下就有了一薄层N型硅来形成永久的沟道。随着栅极偏置电压的升高，沟道变得越来越强的反转。随着栅极偏置电压的下降，沟道变的越来越弱，最后消失了。这种NMOS管的阈值电压实际上是负的。这样的晶体管称为耗尽型NMOS。
二、电介质。
电介质在决定阈值电压方面起了重要性作用。厚电介质由于比较厚而削弱了电场。所以厚电介质使阈值电压升高，而薄电介质使阈值电压降低。理论上来讲，电介质成分也会改变电场强度。但实际情况来讲，几乎所有的MOS管都用纯sio2作为gate dielectric。这种物质可以以极纯的纯度和均匀性生长成特别薄的薄膜；其他物质跟它都不能比。