问题1,MOS晶体管源极S端接VDD时，一般情况下是P沟道类型
MOS管；
问题2，该管的源极端S比漏极端D的电位更高；
MOS管有二种类型，一种是P沟道类型的MOS管，另一种是N沟道类型的MOS管，分析这二种MOS管漏端和源端电位高低，可以参照双极PNP、NPN型普通
三极管的导电电位分析。
分析方法如下：
不管是P沟道还是N沟道类型的MOS管都可以参照双极PNP或者NPN三极管的三个电极分别理解，即P沟道或者N沟道类型的MOS管的栅极G相当双极三极管的B极、源极端S相当双极三极管的E极、漏极端D相当双极三极管的C极；
P沟道及N沟道类型的MOS管的导电区别：
当P沟道类型的MOS管在电路工作时必须让源极端S电位接电路的高电位端，如同双极PNP三极管的发射极E极接电源正极一样，P沟道类型的MOS管漏极端D一般接负载，当栅极端的电位变低时该管导通，将源极S端的高电位通过SD之间的跨导流向漏极端D，当栅极端的电位变高时该管截止；
N沟道类型的MOS管在电路工作时，必须让漏极端D接电路的高电位端，如同双极NPN三极管的集电极C极一样接电源正极高电位端，N沟道类型的MOS管漏极端D也是接电源正极高电位端，当栅极端的电位变高时该管导通，当栅极端的电位变低时该管截止。
若没有问题请及时选为【满意答案】 如有不详之处可以继续向我【追问】