5N60为场效应管，而且是属于N沟道场效应三极管，参数为5A/600V,这个场效应管子是最容易购到的，可以用6N60\8N60进行替换。
扩展资料：
5N60相关参数
N沟道增强型功率场效应晶体管是使用起亚的。有平面的DMOS工艺。这种先进技术特别适合于最小化。在状态电阻方面，提供优越的开关性能，并能承受高能量脉冲。雪崩换相模式。这些器件非常适合于高效率的开关模式电源。基于半桥的电源和电子镇流器。
参数
产品编号：KIA 5N60
系列名称：MOSFET
沟道：N沟道
耗散功率（pd）：100
漏源反向电压（Vds）：600
栅源反向电压（Vgs）：30
漏极电流（连续）（id）：5
最高结温（Tj），℃：150
上升时间（tr）：42
输出电容（Cd），PF：55
通态电阻（Rds），ohm：1.8
封装形式：TO-220、TO-220F等
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