举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。CiSS = CGS+CGD=pF, CoSS= CGD+CDS =pF，CrSS = CGD =pF Power MOSFET 的开通过程：由于Power MOSFET 有输入电容，因此当脉冲电压上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压Ugs按指数曲线上升。当Ugs上升到开启电压Ut时，开始形成导电沟道并出现漏极电流Id。从up前沿时刻到Ugs=UT，且开始出现Id的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)。此后，Id随Ugs的上升而上升，Ugs从开启电压Ut上升到Power MOSFET临近饱和区的栅极电压Ugsp这段时间，称为上升时间tr。这样Power MOSFET的开通时间 ton=td(on)+tr =45ns+75ns=ns (根据datasheet) Power MOSFET的关断过程：当up电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到Ugsp 继续下降，Id才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，Ugs继续下降，Id也继续下降，到Ugs< SPAN>T时导电沟道消失，Id=0，这段时间称为下降时间tf。这样Power MOSFET 的关断时间关于这个建议去硬之城官网看看哦,能快速解决问题 服务态度又好这个很多地方都做不到的。
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