厄利效应大信号模型

Question

如题所述

Answer 1

在正向有源区的电子设备中，厄利效应对电流和电流放大特性产生了影响。具体来说，集电区的电流IC与正向共射极电流放大系数βF之间的关系遵循以下公式：

IC = βF * (VCE + VT) - IC0

其中，VCE代表集电极与发射极之间的电压差，VT是热电压，通常约为kT/q，约等于25毫伏（k为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电荷）。厄利电压（通常在15伏特至150伏特范围内，小型设备则更低）则被称为厄利电压，用VA表示。在零偏压状态下，正向共射极电流放大系数称为βF0。

在一些电路理论模型中，为了更准确地描述厄利效应，集电极电流校正系数是基于集电极－基极电压VCB，而不是直接基于集电极－发射极电压VCE来计算的。这是因为厄利效应的物理机制表明，基区宽度的变化，即集电极－基极耗尽层的宽度变化，实际上是由VCB的改变所驱动的。这种基于VCB的模型在计算机模拟软件，如SPICE中被广泛采用，它更符合厄利效应的物理原理。
扩展资料

厄利效应（英语：Early effect），又译厄尔利效应，也称基区宽度调制效应，是指当双极性晶体管（BJT）的集电极－射极电压VCE改变，基极－集电极耗尽宽度WB-C（耗尽区大小）也会跟着改变。此变化称为厄利效应，由詹姆斯·M·厄利（James M. Early）所发现。