铠侠和西部数据庆祝Fab7投产，162层3DNAND闪存计划2023年初出货，你怎么看？

Question

如题所述

Answer 1

铠侠和西部数据共同投资的Fab7工厂已经开始投产162层3DNAND闪存，计划于2023年初开始出货。这种新一代的3D闪存技术与第五代（112层3DNAND）技术相比，容量密度提高了10%，应用程序性能上可改善近2.4倍，读取延迟上提高10%，I/O性能也可提高66%，满足当下传输速率日益增长的需求。

更值得一提的是，新的162层3DNAND技术将使单个裸片尺寸减小40%，与上一代相比，每个Wafer晶圆生产的Bit量将增加70%。这种平面方向上的细微化技术进步与162层垂直堆叠相结合，裸片尺寸与112层堆叠技术相比减少40%，从而优化了成本。总体而言，与上一代相比，新的3D闪存技术降低了每比特成本，并且将每片晶圆可制造的比特数提高了70%。

总的来说，铠侠和西部数据的这一举动无疑是对半导体行业的一大贡献。他们的合作不仅提高了闪存的容量密度和性能，还降低了生产成本，这将对整个半导体行业产生深远影响。然而，新技术的研发和应用总是伴随着挑战，我们期待他们能够在未来继续推动创新，满足客户及其多样化应用的需求。