多层外延和深沟槽工艺区别

Question

如题所述

Answer 1

多延外层工艺的coolmos价格比深沟槽要贵，但深沟槽工艺coolmos的通过率低。
在具体的应用上，深沟槽工艺的coolmos，会导致产品通过EMI的良率较低。多层外延工艺的coolmos，由于要一次次掩刻，反复注入掺杂，所以耗时，且工艺复杂，导致价格会比相应静态参数的深沟槽型coolmos略贵。
外延工艺是一种薄层生长技术。能批量生产参杂均匀，厚度一致，晶格结构完整的外延片。利用同质外延技术制备N/N加或P/P加结构外延片可解决晶体管制作中频率特性和击穿功率特性间的矛盾。