IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块和普通IGBT之间的主要区别在于集成度和封装形式。
1.集成度：
普通IGBT： 这是单个晶体管器件，通常以散热片的形式提供。用户需要外部元件，如二极管、电阻和电容，来构建完整的电路。
IGBT模块： 这是一个集成了多个组件的模块，通常包括IGBT本身、二极管、驱动电路和保护电路。模块化设计使得电路更容易集成和安装，同时提供更高的可靠性和性能。
2.封装形式：
普通IGBT： 通常以TO-220、TO-247等标准封装形式出现，需要外部进行散热设计。
IGBT模块： 封装更复杂，通常采用模块化的外壳，具有更好的散热性能。模块的封装可以是单模块或多模块，适用于不同的应用需求。
3.适用范围：
普通IGBT： 适用于一些简单的应用，不需要高度集成和复杂的保护电路。
IGBT模块： 适用于需要高度集成和高性能的应用，如变频器、逆变器、电机驱动等。模块提供了更大的灵活性，同时减少了用户设计的复杂性。