(a)VC=6V,VB=0.7V,VE=0;(b)VC=6V,VB=2V,VE=1.3V;
(c)VC=6V,VB=6V,VE=5.4V;(d)VC=6,VB=4V,VE=3.6V;
(e)VC=3.6V,VB=4V,VE=3.4V。 我知道答案 但是不知道过程 求大神给出详解 该用NPN还是PNP?
最后一个中 Ube 小于0.7V 为什么是饱和区呢?
Vbe = Vb-Ve,
1、如果 Vbe = +0.7V,那么就是 NPN 了,
此时Vc>Vb,则三极管处在放大区,而 Vc<Vb,同时 Vc>Ve,三极管处在饱和区;
2、如果 Vbe = -0.7V,那么就是 PNP 了,
此时 Vc<Vb,则三极管处在放大区,而 Vc>Vb,Vc<Ve,三极管处在饱和区;
NPN,发射极的电压最低,PNP,发射极的电压最高
扩展资料:
集电结和发射结均正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,也称饱和工作区。对于共射接法晶体管,饱和区是I(B)>0和U(CE)<0.7V的区域。
当U(CE)<0.7V时,U(CB)=U(CE)<U(BE),集电结正偏,若U(CE)很小(如0.1V~0.3V),即使I(B)增大,I(C)也很少增加,即集电结吸引来自发射区多子的能力大大下降,已经“饱和”了。也可以用曲线U(CE)=U(BE)作为饱和区和放大区的分界线。
参考资料来源:百度百科-晶体管饱和区