为什么书上讲是0.6-->0.7v?
但是有人却讲是0.7v?
为什么不能是0.7v以上的数值?
回1楼我不是讲压降啊.那个测压降的我也不明白.我有时候会比较小白.
那就是指:在额定电流下,Si二极管的正向电压降是0.6-->0.7v.这个我理解了.
但是门槛电压又是如何理解呢?
从理论计算上来说,二极管正向是一直导通,正向电流是关于正向压降的类指数函数:
当Va很小时,Id很小,近似认为没有电流,二级管是截止的;当va增加到id较为明显时(人为规定的,如1mA)时认为它导通,称对应的Va为正向导通电压VF。由于Id指数增加,所以计算出的VF较小。
受参杂浓度、制作工艺、温度、半导体材料等因素影响VF并非固定不变的,经计算,硅在300K下,一般在0.6-->0.7v左右。通常我们取0.7v(也有的书取0.6v)就可以了。从上面的公式看出当温度升高时,对应的VF也升高,所以说当温度较高时,VF是可能大于0.7v的。参杂浓度也会影响VF,但具体计算比较复杂,不做过多讨论。
上述公式推导涉及半导体物理、器件等内容,比较复杂,具体可以见下面这个ppt上的内容:
正向导通电压如图示: