igbt的主要参数有哪些?

如题所述

它是一种N沟道场效应管(绝缘栅型)晶体管,参数如下:

极性:N沟道;

漏极电流( Id)最大值: 10A (at 25℃)

电压,(Vgs) 最大值:20V

开态电阻( Rds(on)): 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V,Id=5.3A

电压, (Vds)最高:400V

功耗(P):2.5W

封装类型:TO 220

针脚数:3

晶体管类型:MOSFET

满功率温度:25°C

扩展资料

IRF740是新系列低电荷Power MOSFET 其比传统MOSFETs有着明显更低的栅电荷。利用了新型的LCDMOS技术,使他的性能得到增强并且不要增加成本,大大简化栅极驱动需求,节省系统总体开销。并且,在高频应用中,它减少了转换损耗,使效能得到强化。

它使用了TO-220封装,让他的功耗可以保持在50W左右,大量应用于工商业应用,这种封装有低热阻和低成本的特点,让它得到业内的普遍认可。此外,使用SMD-220封装的IRF740还适用于贴片安装,和现有的任何其他贴片封装比起来,都可以称为功率最高,导通阻抗最低。这种封装的IRF740还可适应高强度电流的应用。

参考资料

百度百科-IRF740

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