npn三极管工作中饱和区时，发射极正偏，集电极正偏。但是电流仍然是从c流到e，从b流到e。
这和放大区时，发射极正偏，集电极反偏。电流方向没变化。。。到底c集电极正偏和反偏与电流方向有什么区别，正偏的定义不就是电流正向流通吗，反偏就是电流反相流通吗。。为什么正偏和反偏的时候，集电极电流都是从C到E；
ube>Uon（开启电压）时，发射区自由电子由扩散运动到达基区 ，此时发射区、基区和集电区都有了自由电子，集电极C和发射极E相当于导通了，这时可以把晶体管等效于一根导线，如上图所示（基本共射放大电路）。当然这个图不是完全正确，但不影响这个问题的分析。
此时无论管压降uce>ube或uce<ube,即无论集电极c的电位大于或小于基极电位，Rc这路都是有电流的，并且总是从上至下（从集电极c到发射极e），因为这股电流的能量都来自Vcc，而Vcc的电压方向是已经固定的。
即使将基极短路，也就是去掉基极，集电极和发射极也有电流，这个电流称为穿透电流。穿透电流越小，晶体管的质量越好。
至于放大区要求uce≥ube的原因：集电区无法从发射区直接搬运自由电子（以下简称电子），得等到Ube把电子从发射区搬运到基区后，集电区再从基区搬运一定比例的电子，至于这个比例的多少由管压降Uce决定。
那么有人要说了，饱和时，uce<ube，为什么基区没有从集电区搬运电子呢？或者说为什么ic的电流方向没有反过来？这是因为晶体管的结构造成的，集电区只挨着一个基区，搬运电子的来源只能是基区。而基区上边是集电区，下边是发射区。饱和时，uce电压虽然接近零，但还是有一点的，而且集电区的大后方还有一个电源Vcc。比较下，发射区是个软柿子，而且发射区连接着大地，所以从发射区搬运电子无压力，所以，即使uce再低，ube再高，基区还是会选择从发射区搬运电子。
从路径上分析，集电区从基区搬运电子，电流ic走的通路是：Vcc正-Rc-集电区-基区-发射区-Vcc负（大地），只是经过了基区，抗衡的只是基区的电位。但基区要想从集电区搬运电子，走的通路就是：Vbb正-Rb-基区-集电区-Rc-Vcc-Vbb负（大地），他要对抗的是Vcc这个强大军团。事实上，Vcc>Vbb，所以图中一个画了四条横线，一个只画了两条横线，以示大小。
概括说，基极-发射极的电压ube影响晶体管的开启和关闭，无法影响到集电极-发射极电流ic。集电极-发射极电压uce大时，ic增大。当uce变小时，也就是ic无法继续增大时，就是大家说的饱和状态。
————参考书籍
《模拟电子技术基础》（第五版）高等教育出版社 童诗白 华成英著
二个PN结将基片分为三个区：发射区、基区和集电区，每区引出一个电极分别称为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）；
发射区与基区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的PN结称为集电结
(2) npn三极管工作中截止区时，此时集电极电位比基极高，所以集电结反偏
是发射结电压虽正偏但<0.5V(死区电压)或反偏，集电极电流=0；
(3) npn三极管工作中放大区时，是发射结正偏>0.5V，集电结反偏，此时集电极电位比发射极电位高，所以电流是从C流向E，但C电位比B电位高，所以集电结反偏；
(4) npn三极管工作中饱和区时，发射结正偏>=0.7V，集电结正偏，此时集电极电位仍比发射极电位高，所以电流仍是从C流向E，但C电位比B电位低，所以集电结正偏；V(ce)≈0.1-0.3V
(5) 发射结, 集电结的正偏与反偏不是由电流流向定义的，而是由B,C,E的电位高低来定义的，本回答被提问者采纳
那么二极管为何在反偏时为何不会出现反向的电流？因为在p区中没有那么多的电子堆积
正偏和反偏指的是BE结或BC结正偏或反偏，不是C极和E极。
可以试着去 k a ɳ 3 p • c ɳ那样的动作片。。。大把的
还有就是 ɳ要改成n 才行，不改打不开哦
只能帮你倒这里了 剩下的只能靠你自己了，如果连动手都懒得去做那就是神也没办法了