IGBT 的栅极驱动电压Vge上的米勒平台时如何产生的?谁能用通俗的语言解释一下?

如题所述

米勒平台现象:感性负载下IGBT的神秘电流魔法



在电子设备的世界里,IGBT这种神奇的电压控制器件,其栅极驱动电压Vge上出现的米勒平台,就像一个魔术师在掌控电流的舞步。这个现象在带感性负载时尤为明显,它的产生其实得益于一个巧妙的电学机制——弥勒效应。

想象一下,当你试图快速开关一个灯泡,电流会瞬间停止,对吧?但在IGBT和MOSFET这样的器件中,情况并非如此。感性负载的存在就像一个能量存储罐,当门极电压变化时,会产生一个名为“弥勒电容”的蓄能工具。这个电容会像一个缓冲器,抵消电流变化带来的能量波动,使得门极电压在一段时间内保持相对稳定,形成了那个我们所说的米勒平台。



对于阻性负载,电流和电压变化直接同步,没有存储能量的过程,所以平台不明显。然而,在感性负载下,这个平台显得更为明显,因为电流需要时间来稳定,这就导致了续流现象,从而增加了开关过程中的损耗。在开通阶段,MOSFET的门极电压会缓慢上升,形成一个平坦区域,而感性负载下,电流上升平滑,形成明显的平台电压。



分析米勒效应的过程,可以划分为预充电、电流上升、换流结束(平台形成)和dv/dt影响四个阶段。在感性负载的米勒平台中,电感电流稳定,门极电流通过弥勒电容Cgd放电,确保平台电压恒定。这与阻性负载的快速切换形成鲜明对比,感性负载下的平台更为稳定,因为电流和电压的变化更为连续。



在关断过程中,IGBT的门极电压下降受阻于高压弥勒电容,关断速度取决于Rg(门极电阻)。在感性负载中,即使在过驱动阶段,门极电压也只需减小饱和压降,而在关断后,续流管的反向电流和Rg共同决定了门极充电速度,以及IL(感性负载电流)的恒定。



总的来说,米勒平台是IGBT与感性负载交互的产物,它在控制电流和电压的动态平衡中起到了关键作用,使得IGBT在应对复杂负载时更加高效。这就是IGBT栅极驱动电压Vge上的米勒平台,一个隐藏在电子世界里的科学奥秘。

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