快恢复二极管性能显著，它具有超快的开关速度，在很多领域中都有应用。超低的反向漏电流和超快恢复的特点使它在应用中更是无可替代的。
功率快恢复二极管各参数之间存在着折衷关系，主要是正向导通特性、反向恢复特性，及反向击穿特性等之间各参数的矛盾主要的性能参数包括正向压降、反向峰值电流、反向恢复时间、软度因子、阻断电压、漏电流。我们只能在各参数之间取其折衷而无法实现所有特性参数的最优值，在取得一项或几项参数优化的同时，不过多牺牲其它参数，实现器件综合性能在一定方向上的优化。
1. 反向出电流
实际快恢复二极管，由于耗尽区外边缘扩散长度以内载流子的扩散以及耗尽层内载流子的空间产生，总是会有微小的电流，这就是器件的反向漏电流IR，它决定着二极管反向工作时的功率损耗。一般来说，漏电流由反向扩散电流ID、表面漏电流IS和空间电荷区产生电流IG三部分组成，如式1所示：
由于处理功率较高，FRD的结面积和厚度要明显大于普通二极管，所以漏电也明显很大。因为漏电流研究的主要对象是考虑空间电荷区产生电流比，所以漏电流一般是在结温125℃或150℃的高温条件下测量，是因为高温条件下表面漏电流和扩散电流要远小于空间电荷区产生电流。空间电荷区产生电流可以由空间电荷区产生率积分得到，如式2所示：
其中：τSC为空间电荷产生寿命
ni为本征载流子浓度
Τn0、τp0为少数载流子寿命
Er为复合中心的能级位置
E,为本征能级位置
从式2可以看出，空间电荷区产生电流IG随着本征载流子浓度的增加而增加(即随着温度上升漏电流会上升很快)，因此一般高温下漏电要远大于常温下的漏电。在高温条件下，漏电流近似为空间电荷区产生电流，除去器件结构参数因素，漏电流只与空间电荷区产生寿命τSC有关，且其成反比，即τSC越大，漏电流越小，根据复合中心也是产生中心的理论，在进行了寿命控制的二极管中，τSC的大小决定了复合中心的性质，即复合中心能级位置、浓度和俘获截面。复合中心浓度和俘获截面越大，少数载流子寿命τn0和p0越小，τSC就越小，漏电就越大。这说明寿命控制时引入的复合中心越多，减小反向恢复时间的效果越好，但引起漏电的上升也就越大，两者之间存在矛盾，从式3能直观看出，复合中心能级与本征能级(近似禁带中线)差距越小，τSC就越小，漏电就越大，但复合作用也会越明显，因此复合中心的能级位置也是寿命控制的重要考虑因素。
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理想的二极管在承受反向电压时截止，不会有反向电流通过。而实际二极管正向导通时，PN结内的电荷被积累，当二极管承受反向电压时，PN结内积累的电荷将释放并形成一个反向恢复电流，它恢复到零点的时间与结电容等因素有关。反向恢复电流在变压器漏感和其他分布参数的影响下将产生较强烈的高频衰减振荡。因此，输出整流二极管的反向恢复噪声也成为开关电源中一个主要的干扰源。可以通过在二极管两端并联RC缓冲器，以抑制其反向恢复噪声.
碳化硅材料的肖特基二极管，恢复电流极小，特别适合用于APFC电路，可以使电路简洁很多。本回答被提问者采纳
反向电流指加上指定反向电压测得的稳定电流，对于硅管通常很小，甚至可以忽略。
反向恢复电流是指在二极管正向导通，并具有指定的电流值，突然加上反向电压，由于刚才导通时还有大量的载流子存在，它们在反向电压下会反向流动，产生巨大的“反向恢复电流”，直到把残余的载流子消耗完，达到稳定就算“恢复”了，这时就只剩下“反向电流”了。这个消耗载流子的时间被称为反向恢复时间。
有一种二极管称“阶跃恢复二极管”，就是利用这个反向电流，产生宽度极窄的脉冲信号。
反向恢复时间和反向恢复电流，决定二极管的开关损耗大小，频率约高这两个参数对二极管的开关损耗影响越大，在高频电路中用Qrr大小来表述二极管的快恢复特性能的优劣，Qrr的大小基本等于反向恢复电流三角形电流波形的三角形面积，Qrr=1/2*反向恢复时间Trr*反向恢复电流Irrm。
