在日韩贸易紧张局势下，三星电子决定如期于9月4日在东京举行其晶圆代工论坛，展示了其对于先进制程技术的坚定立场。三星宣布将展示名为「环绕闸极」的3纳米以下芯片制程套件，据报道，GAA技术使三星在先进制程技术上领先全球晶圆代工巨头台积电一年，甚至超前英特尔两到三年。
尽管面临日本对关键半导体原料出口的管制，特别是光刻胶这种EUV制程必需品，三星电子的晶圆代工业务仍展现出韧性。三星正加速7纳米芯片的量产，以期在竞争中取得优势，但日本可能进一步限制高科技原料进口，给三星带来挑战。
三星计划在华城和平泽建设EUV芯片生产线，高级主管表示，考虑到当前形势，新生产线的投资时机必须重新评估。尽管三星在晶圆代工领域的野心明显，台积电对此回应，他们有信心在7纳米、5纳米甚至3纳米制程上保持全球领先地位。
台积电强调，其制程推进策略稳健，凭借强大的客户群体和高性价比，台积电在先进制程的竞争中占据优势。尽管三星企图通过更先进的3纳米技术挑战，但高额的光罩费用和5纳米制程后的成本考量，使得这种挑战显得尤为艰巨。
尽管三星在记忆体市场占据优势，但想要复制记忆体的成功模式在晶圆代工领域挑战台积电，其道路依然漫长而充满挑战。