三极管和MOS管，开关速度谁快呀？
我看到有的文献上说MOS管上有等效电容的存在，所以开关时间比三极管长，三极管速度最快。
但也有的说三极管存在状态转换，例如开到关，即饱和到截至，PN结的感应电和需要恢复到平衡状态，所以开关速度比MOS管较慢，MOS管常用于高速电路。
各位大侠，到底是怎么回事呀？
补充问题：如果上面的问题不好办？那换个简单的问题，怎么从三极管datasheet上看，它的开关速度是多少呀？MOS管的datasheet倒是有明确的指标。但三极管的datasheet我找不到。
三极管的速度快。
一般说开关时间指截止到饱和导通互相转换的时间，BJT因为载流子的问题，无法快速截止，就是从饱和导通到截止的时间过长。
如果BJT要获得短的关断时间，必须工作于接近饱和但又不饱和的状态，所以频率超过20KHZ以上，对效率要求高的应用不应该选用BJT。
而对于普通的大功率MOS，开关时间是NS级的，频率2MHZ下的各种开关应用都可以应付。但是，MOS的价格高，耐压低，有开关寿命限制。
MOS的输入相当于一个电容负载，这个电容是影响MOS开关速度的主要因素，所以要求驱动电路必须能提供足够大的充放电能力。
扩展资料：
等效电容对MOS管的影响：
从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。
有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。
电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。
由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。
它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。
参考资料来源：
就分立元件而言，是三极管的速度快，一般的产品目录上三极管都标注其带宽，而MOS管都不标注带宽或相应时间等和速度相关的参数。
有些三极管的数据手册中给出上升时间、下降时间或导通时间、截止时间，这就是它的开关速度参数。
我这里有三极管MMBT2222A的数据手册，从中截下一部分你看看——
单纯的MOS速度是不如晶体管。但现在都是V-MOS和IGBT的天下了。
比如说，现在电脑的CPU，工艺就基本上属于高集成的V-MOS工艺，而不是晶体管的工艺。