晶体管特性图示仪测试二极管漏电流

求教:针对图示仪上的功耗限制电阻,我们在测试时应如何选用?
功耗电阻选用越大,漏电流峰值越小,我们如何选用?
(以15SQ045二极管为例。基本参数:15A、45V、一般漏电流:50uA~100uA)

急急急!

晶体管特性图示仪测试二极管漏电流时限流电阻要根据电源电压、二极管的击穿电压、二极管的击穿电流等参数进行选择。
电源电压U:是晶体管特性图示加到二极管和限流电阻上的电源电压,一般为三极管击穿电压的120%~200%。
二极管的击穿电压URB:是二极管击穿时的电压,一般要比二极管参数上的耐压要高20%左右。
二极管的击穿电流IRB:二极管击穿后流过二极管的电流,测量时一般选择的击穿电流为最大漏电流的10倍以上。(但反向功耗URB*IRB不能大于二极管额定功耗的1/2)
限流电阻R的选择:R~(U-URB)/IRB

以15SQ045为例:
击穿电压URB:实际击穿电压在55V左右,不同管子有所不同。
测量电源电压U选择:根据实际击穿电压,选择测量电源电压100V。
击穿电流IRB选择:最大击穿电流可选择在1~10mA,如选择2mA.
限流电阻R选择:R~(U-URB)/IRB=(100-55)/2=22.5kΩ,R可选择10~50kΩ之间均可。

实际测量中,测量电源电压U、限流电阻R的选择范围很大。测量电源电压可选择100V、200V或更大,因为测量时加到二极管和限流电阻上的电压是可以慢慢调节加上去的,当调节到显示击穿电流大小合适时可以停止加压的。追问

击穿电压URB 我知道;

1. 测量电源电压U为什么选择100V呀?一般我们使用图示仪测量是加在二极管本体的电压不是45V吗?

2. 这三个参数(URB/U/IRB)的选择有没有什么标准,而不是选择一个范围内的某一个数值?

请赐教~

谢谢

追答

1、这是针对15SQ045的。
二极管的击穿电压约为50~60V,为了能够看到击穿点,选择100V。(上面的100V档按钮)
(下面的旋钮是调节旋钮,当选择100V档时,可在0~100V之间调节。)
右边旋钮是功耗阻止电阻选择,可选择5K或25K档,如选择25K档时,电压调节到最大(100V)时,二极管中最大击穿电流约为:(100-55)/25K=1.8mA。

2、URB是二极管的击穿电压,IRB是二极管的击穿电流,根据URB、IRB来选择U和R。
由于IRB允许范围很大,所以U和R的选择范围也很大。
一般U选择大于URB就可以了,如URB为50~60V,U可选择100V。(当然也可以选择500V,在调节电压时也可以调到80V、100V等。)
功耗阻止电阻是用于限止二极管击穿以后的击穿电流的,如果只要看击穿点和击穿以前的漏电流,R可选大一些或U调低一些;如要看击穿以后的特性,有的甚至要看温度升高后漏电流的变化时,U要调高一些或R选小一些。熟练后可灵活应用。

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