晶体管伏安特性曲线

Question

NMOS的伏安特性曲线我知道是从原点出发，很多条曲线，那么PMOS呢，是只要把坐标轴ds换成sd就可以了么，还是图像也得反转，请上图。还有BJT的NPN和PNP是什么关系呢。也是一样的吧？

Answer 1

坐标轴不还，所有曲线与原点对称（举个例子：增强型N-MOSFET的输出特性曲线记得吧，就这个图，分布在第一象限，现在全部关于原点对称，放到第三象限里去，这个就是同参数，增强型P-MOSFET的输出特性曲线了）

三极管中其实也可以分析一下，NPN的输出特性曲线你应该也没问题吧，是这样的。

如果还是这个坐标系，对于PNP管子来说，IC电流是从E流到C，E的电压比C高，这也就意味着按上述坐标（电流以C到E为参考方向，电压以C到E为参考方向），PNP管子的IC和UCE都是负值，也就是说，整个输出特性曲线应该是分布在第三象限中，与NPN的这个图完全按原点对称，与MOS管是一致的。

Answer 2

　　当Uce=0的时候，输入特性曲线，相当于一个PN结的正向导通后的伏安曲线。这个毋庸置疑

　　当Uce>0的时候，处于发射极的多子，受到了集电极正电势的吸引，会部分扩散到极电极，那么在相同的Ube的情况下，流经基极与Ube正极复合的电子减少，表现为IB减小，在伏安曲线上看就是曲线向右平移。