这个很简单。关键在于
MOS管的结构和工作原理。你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是
P型半导体，B与源极S连在一起。当GS为正电压时，G上为正电，会把衬底中的电子地吸引到G的对面（不会到G，原因是衬底与G之间有一道绝缘栅，电子无法越过，这也是MOS管名字的来源），由此加厚反型层（增强型与耗尽型的区别就在于，增强型的反型层必须是当UGS〉UGS（th）才会生成，而耗尽型，UGS=0的时候，反型层也是存在的。）这样就比较好理解了，反型层的存在和增减，主要看UGS的大小。增强型：只要超过UGS(th)，就会存在反型层，随着UGS增加，反型层加厚。耗尽型：以UGS=0为界，同样，随着UGS增加，反型层加厚，UGS减小，反型层变薄，当UGS小到一定时候，也就是UGS
追问看不太明白，我想知道答案是，，，