有关半导体工艺的问题

Question

问个菜的问题:半导体(或集成电路)工艺

来个人讲讲 半导体工艺 集成电路工艺 硅工艺 CMOS工艺的概念和区别以及联系吧。

查了一下：
集成电路工艺（integrated circuit technique ）（百度百科）
电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。

半导体工艺是集成电路工艺的同义词？
那CMOS工艺是属于什么工艺啊？我怎么记得以前好像说半导体工艺，一般都是说什么CMOS，NMOS，TTL等等
譬如掺杂、注入、光刻、腐蚀这些又是属于什么工艺呢？
那die bond,wire bond, T/F，FT等等不是也叫半导体工艺(Semiconductor production process)么？

一般笔试或面试的时候，说的“描述一下你对集成电路工艺的认识”“描述一下国内的工艺现状”“列举几种集成电路典型工艺”里面的工艺是指哪个工艺啊？我觉得第3个问题，和前两个指的应该是不同的吧？

多谢

Answer 1

首先说明一下，半导体中所谓的工艺指得是IC在由设计文件生产成为实体的过程步骤和技术（这是我自己组织的语言，明白是什么意思就成了），比如你所说掺杂、注入、光刻、腐蚀都是现在比较流行也是传统的半导体生产工艺。 而扩展到集成电路上，这个“工艺”一般又多了一层“特征尺寸”的感念，比如人们常说“我这CPU是core2duo，用得是45nm的工艺”。当然现在最先进的工艺已经达到了30nm左右，甚至在实验室中有更低的数值得以实现.

至于你说的MOS，CMOS这些东西，我个人认为不能称之为“工艺”，而是电路组成形式。以CMOS为例，它的意思是“互补对称型MOS”，即电路中的基本单元是一个反向器（由一个NMOS和一个PMOS构成），--整个电路都是由这种单元组成，因此它是一种电路组成形式。

工艺和电路组成形式的对应关系是：CMOS为单极型工艺（口头上即称为COMS工艺，所以容易产生你的那种误解），是数字电路的代表；TTL电路形式为双极型工艺（口头上就是双极型），是模拟电路的代表。而前面所说的“掺杂、注入、光刻、腐蚀”多用于单极型工艺，双级型也类似但具体还是有些不同的。

die bond,wire bond则是封装工艺。

如果我去回答面试的那几个问题时，我基本上就从“特征尺寸”和工艺流程上说一下。中国大陆现在能做的最小工艺尺寸就是45nm（如INTEL的大连厂）了，要算上台湾的话，基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。第三个问题我会反问下考官是是指的电路形式还是工艺流程，因为现在有些企业负责的人自己业务都搞得不怎样，问问题也比较奇怪

Answer 2

Answer 3

掺杂是在半导体中掺入3，5族元素，正向注入简单来说就是半导体图像的x正半轴......关于mos管具体可参看黄昆著的半导体物理一书

Answer 4

个人认为工艺是指半导体器件的制作工艺吧，比如你提到的参杂等。CMOS和TTL指的是半导体器件的种类，MOS指场效应管，TTL指的是晶体管

Answer 5

你说的那些只是工序，流程，半导体封装的流程，die bond,wire bond, T/F，FT，集成电路典型工艺是指封装形式什么的，如TSSOP20，TSOT33/6LD，MSOP等，这些仅仅是个人的认识啊