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集成电路制造工艺答案
双极
集成电路
与晶体管的
工艺
流程有哪些不同?为什么?
答:
选用材料不同。
制作工艺
不同。制造方式不同,所以工艺不同。双极
集成电路
采用了埋层工艺和隔离技术,晶体管工艺采用了熔合或合金技术,而且双极集成电路使用的是双极晶体管,晶体管采用了晶体管,所以在工艺流程上面的不同,就是选用材料和制作工艺的不同。因为这是完全不同的两种制造方式,所以要选择不同...
集成电路
典型
工艺
。工艺上常提0.25,0.18指的是什么?
答:
是指
集成电路
中的线宽(微米),线宽越窄,同样硅片面积上能
制造
的元件就越多,集成度就越高,
工艺
水平就越高。补充回答:是集成电路内部(硅片上)各元件之间由硅半导体导电通道形成的连接线。
厚膜
集成电路
的主要
工艺
答:
厚膜混合
集成电路
最常用的基片是含量为96%和85%的氧化铝陶瓷;当要求导热性特别好时,则用氧化铍陶瓷。基片的最小厚度为0.25毫米,最经济的尺寸为35×35~50×50毫米。在基片上
制造
厚膜网路的主要
工艺
是印刷、烧结和调阻。常用的印刷方法是丝网印刷。丝网印刷的工艺过程是先把丝网固定在印刷机框架上,...
双极
集成电路
与晶体管的
工艺
流程有哪些不同?为什么?
答:
2. 掺杂
工艺
不同:双极
集成电路
的
制造
过程中需要进行多次不同类型的掺杂工艺,以形成P型和N型的区域,从而形成PN结。而晶体管只需要进行一次掺杂工艺,以形成基区、发射极和集电极。3. 结构复杂度不同:双极集成电路中的晶体管结构相对于晶体管要复杂一些。双极集成电路中的晶体管通常具有多层结构,包括...
数字
集成电路
按
制造工艺
不同 ,可分为那两大类?
答:
数字
集成电路
按
制造工艺
不同 ,可分为双极型与 MOS 型 。典型芯片是 TTL 的74XXX系列 与 CMOS 的 CDXXX系列。
集成电路
是怎样
制造
出来的
答:
真简单的回答不了。看这个:单片
集成电路工艺
利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时
制造
晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按...
集成电路工艺
的工艺特点
答:
通用电路和标准电路的数量大,可采用单片
集成电路
。需要量少的或是非标准电路,一般选用混合
工艺
方式,也就是采用标准化的单片集成电路,加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易,电路设计灵活,
生产
周期短,散热良好,所以在高压、大...
集成电路工艺
的单片工艺
答:
单片
集成电路工艺
利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时
制造
晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单...
单片
集成电路
的
工艺
答:
使平面
工艺
得到相应的发展。如掺杂技术由扩散改为离子注入,常规紫外光刻发展到电子束曝光、等离子体刻蚀和反应离子铣,常规气相外延改为超高真空分子束外延,采用化学气相沉积
制造
二氧化硅和多晶硅膜等。单片
集成电路
除向更高集成度发展外,也正向着线性、大功率、高频电路和模拟电路方向发展。
线性
集成电路
的高频
工艺
答:
线性CMOS技术 这是一种十分复杂的通用性兼容技术,能同时制作各种双极型器件和CMOS器件(见互补金属-氧化物-半导体
集成电路
)。用这种技术可将高性能线性电路与高密度的高速逻辑电路结合在一个芯片上。一种用难熔金属钼作为栅极材料的线性CMOS
工艺
,能把P沟道与N沟道MOS器件制作在线性双极型芯片的N型...
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