55问答网
所有问题
当前搜索:
已知图为所示电路中的晶体管为硅管
测得放大
电路中
六只
晶体管
的直流电位如图
所示
。在圆圈中画出管子,并...
答:
首先Ube一般比较小,所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7,下图的是0.2,硅管的Uon比锗管高,所以上
图为硅管
,
下图为
锗。上图:如果左端为b,
管子为
NPN,那么发射结正偏,集电结反偏,Ube>Uon,符合放大工作条件。反过来,如果左端为e,管子为PNP,发射结正偏,集电结也是正偏,饱和...
如何判断
电路中的
一个NPN
硅晶体管
处于饱和,放大,截止状态
答:
用电压表测基极与射极间的电压UBE。若此电压小于0.6V,为截止状态;若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压:若CE电压大于1V,为放大状态;若CE电压小于1V,为饱和状态。
运放工作在线性状态的条件是什么?
答:
二、计算方法判断:1、如何判断该
晶体管
处于何种工作状态,又如何确定Uce在代表极限功耗的虚线双曲线上找一点,例如与40μA线交点,交点坐标为24V、2mA,故管子极限功耗。PCM=24V×2mA=48mW≈50mW;漏电流ICEO=10μA;击穿电压Ubr(ceo)=50V;2.、从图上可读出Ib=40μA时,Ic=2mA,故管子β=...
如何判断一个运算放大器
电路中
运算放大器是否工作在线性状态?为什么...
答:
二、计算方法判断:1、如何判断该
晶体管
处于何种工作状态,又如何确定Uce在代表极限功耗的虚线双曲线上找一点,例如与40μA线交点,交点坐标为24V、2mA,故管子极限功耗。PCM=24V×2mA=48mW≈50mW;漏电流ICEO=10μA;击穿电压Ubr(ceo)=50V;2.、从图上可读出Ib=40μA时,Ic=2mA,故管子β=...
如何判断一个运算放大器
电路中
运算放大器是否工作在线性状态?为什么...
答:
二、计算方法判断:1、如何判断该
晶体管
处于何种工作状态,又如何确定Uce在代表极限功耗的虚线双曲线上找一点,例如与40μA线交点,交点坐标为24V、2mA,故管子极限功耗。PCM=24V×2mA=48mW≈50mW;漏电流ICEO=10μA;击穿电压Ubr(ceo)=50V;2.、从图上可读出Ib=40μA时,Ic=2mA,故管子β=...
放大
电路中的
三极管的三个电极电位分别是U1=5V ,U2=2V ,U3=1.4V...
答:
解:1、
已知
这是放大
电路
,可认为
晶体管
处于放大状态。2、晶体管处于放大状态时,|Uc|>|Ub|>|Ue|,且
硅管
|Ube|=0.6V~0.7V,因U2-U3=2-1.4=0.6V可判断这是硅管。3、各极电压均为正,可判断这是NPN型管。4、由第2条可判断出Uc=U1=5V,Ub=U2=2V,Ue=U3=1.4V。
如何判断
电路中的
一个NPN
硅晶体管
处于饱和,放大,截止状态
答:
3 饱和区 其特征是发射结与集电结均处于正向偏置,即对于共射电路Ube大于Uon且Uce小于Ube。此时Ic不仅与Ib有关。而且明显随Uce增大而增大,Ic小于βIb。在实际
电路中
,若
晶体管
的Ube增大时,Ib随之增大,但Ic增大不多或基本不变,则说明晶体管进入饱和区。对于小功率管,可以认为当Uce=Ube,即Uce=0...
某放大
电路中
,测得三极管三个电极的静态点位分别为0V、10V、9.3V,则这...
答:
【答案】:C 硅管的正向压降为0.6~0.8V,锗管的正向压降为0.2~0.4V,由题干可得该三极管压降为0.7V,
为硅管
。
晶体管
工作于放大状态的外部条件是:发射结正偏,集电结反偏。三个电极的电位关系是:NPN型UC>UB>UE,PNP型UC<UB<UE。本题中UE=10V>UB=9.3V,因此,该三极管为PNP...
两个
晶体管
放大
电路
,根据各极电位如何判断管脚E,B,C极,并判断是pnp还 ...
答:
再来看B管,三个电压都是负的,所以可以判断这个三极管是PNP管。再看这三个电压,因为其中有两个电压为-6V和-6.7V,压差为0.7V所以,可以判断此三极
管为硅管
,因为只有硅管处在放大状态时的Vbe=0.7V,所以,-6V的那个极为B,-6.7V的那个极就是E,剩下的就是C了。另外,你也可以根据...
晶体管
工作状态
答:
一般情况下,此时的Vce≈0.3V(
硅管
)或 Vce≈0.1V(锗管),如果我们检测出
电路中的晶体
三极管极间电压符合上述情况,则可判断该三极管工作在饱和区。需要指出一点的是:在有些电子电路中,如开关电路、数字电路等,三极管工作在截止区与饱和区之间相互转换,如附
图所示
。当A点为0V时,EB通过R1、R2...
<涓婁竴椤
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜