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已知图为所示电路中的晶体管为硅管
测得
电路中
工作在放大区的某
晶体管
三个极的电位分别为 0V、0.7V 和...
答:
NPN型
硅管
。发射极电位为零,基极电位0.7V ,集电极电位4.7V 。比较3电压大小,V2为中间电压,故为B极,与其相差不大的为V3 ,管脚3则为E极,所以管脚1为C极了。因B极电压与E极电压相差0.7,所以所用材料为Si,如果二者电压相差0.2则材料为Ge。因为Vb<Ve,所以管型为PNP 反之为NPN型。
求大神,做电工电子技术的题!
答:
1、
图示
分压式偏置放大
电路中
,
已知
RC=3.3KΩ, RB1=40KΩ, RB2=10KΩ,RE=1.5KΩ,β=70。求静态工作点IBQ、ICQ和UCEQ。(图中
晶体管为硅管
)Vb=25x10K/(40K+10K)=5V,Ve=5-0.7=4.3V,Ie=4.3V/1.5K=2.87mA Ibq=2.87/(β+...
测得工作在放大
电路中晶体管
三个电极的电位分别为:请判断它们是NPN型还 ...
答:
为硅
PNP型三极管。U1为集电极c,U2为基极b,U3为发射极e。为锗NPN型三极管。U1为基极b,U2为发射极e,U3为集电极c。
电路
如图,
晶体管
的β=100,rbb'=100Ω,求Q点
答:
另外,Q点的求解:根据分压原理,UB=Vcc*Rb1/(Rb1+Rb2)=2V,因为你没说明是硅管还是锗管,所以我分两步:若
为硅管
,则UE=UB-Ubeq=2V-0.7V=1.3V,IE=UE/RE=1.3V/(1K+0.3K)=1mA≈IC,则UCE=Vcc-IE*(RC+RE)=12V-1*(5+1+0.3)=5.7V>饱和电压,管子工作在放大状态。若为...
晶体管为硅管
的简单放大
电路中
基极.发射极.集电极
中的
电解电容正负极如...
答:
你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可。
2.电路如图
所示
,
电路中的晶体管
β=60
答:
(1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ。本图
所示电路
静态工作点的求解公式:1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是
已知
(
硅管为
0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明,一般就按硅管来算),但是在本题中,你漏了一个重要...
a电工与电子技术作业 单项选择题 谢谢
答:
D B B B B B C A B D 有几题不止一个答案
《电工学册》试题及解答
答:
基本放大电路2.
已知
如图8.2
所示电路中
,三极管均
为硅管
,且β=50,试估算静态值IB、IC、UCE。解:(a)(μA)(mA)(mA)(V)(b)(μA)(mA)(V)3.
晶体管
放大电路如图8.3所示,已知UCC=15V,RB=500kΩ,RC=5kΩ,RL=5kΩ,β=50。(1)求静态工作点;(2)画出微变等效电路;(3...
如何判断
电路中的
一个NPN
硅晶体管
处于饱和,放大,截止状态
答:
用 电压表 测基极与射极间的电压UBE。若此电压小于0.6V,为截止状态;若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压:若CE电压大于1V,为放大状态;若CE电压小于1V,为 饱和状态 。
...RE= 2kΩ, RB= 200kΩ, RL= 2kΩ ,
晶体管
β=60, UBE=0.6V, 信号源...
答:
你好:一、若
为硅管
:UB=Ucc*10K/(10+20)K=4V,UE=4-0.7=3.3V,IE=UE/RE=1.65mA≈IC,则UCEQ=Ucc-IC*(RC+RE)=5.4V,大于饱和电压,三极管工作在放大状态;因为没有指明rbb的值,根据模拟电子技术第四版中的约定为300欧,则rbe=300+41*(26/1.65)=0.946K欧,所以Au=-41*1/...
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某电阻元件额定数据为1kΩ
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