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mos管IGBT晶闸管开关特性
晶闸管
测试及
开关特性
研究注意事项?
答:
晶闸管的开关特性如下:1) 起始时若控制极G不加电压,则不论阳极A加正向还是反向电压,晶闸管均不导通,
这说明晶闸管具有正、反向阻断能力
。2) 晶闸管的阳极A和控制极G同时加正向电压时晶闸管才能导通,这是晶闸管导通必须同时具备的两个条件。3) 在晶闸管导通之后,其控制极G就失去了控制作用。欲使晶闸...
gto、
igbt
、
mosfet
三者有什么区别?
答:
开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好
,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题
电流容量小,耐压低
,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻...
可控硅
、
MOSFET
、
IGBT
、GTO是电压触发还是电流触发,它们在作用上有什么...
答:
IGBT与GTO、MOSFET器件相比在开关速度、耐压、驱动功率上有更优异的特性
,所以被广泛应用在变频器、有源滤波和补偿、逆变等领域。
IGBT
,
可控硅
,
MOSFET
的工作原理,区别。
答:
可控硅就是晶闸管,半导体开关。MOSFET绝缘栅极场效晶体管,
驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
。igbt绝缘栅双极型晶体管,综合了GTR饱和压降低,载流密度大的特点和MOSFET的特点。不难看出都是用于电子开关的器件,应用场合不同时,有时会存在很大优势 ...
现代电力电子技术基础的目录
答:
5.3 VDMOS管的栅电荷曲线1.5.4 VD
MOS管的
参数及安全工作区1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)1.6.1
IGBT的
工作原理及静态输出
特性
1.6.2 IGBT的参数特点1.6.3 IGBT的过载能力1.7 MOS栅控
晶闸管
(MCT)1.7.1 MCT工作原理1.7.2 MCT的特点1.7.3 MCT和IGBT的性能比较1.8 静电感应晶闸管(...
晶闸管
:控制电流的
开关
答:
幅度在5v--10v之间。它只能触发导通,不能触发关断,因此被称为半控器件。🚪
IGBT晶闸管
:全控器件IGBT晶闸管的结构是绝缘栅双极场效应晶体管,可以触发导通,也可以触发关断,因此被称为全控器件。它的优点在于输入阻抗高、
开关
速度快、安全工作区宽、饱和压降低、耐压高和电流大。
晶闸管
和
IGBT
有什么区别?
答:
1、名称不同:
晶闸管
简称为SCR,
IGBT的
中文名称为绝缘栅双极型晶体管。2、材料不同: IGBT为全控型器件,SCR为半控型器件。3、控制方式不同: SCR是通过电流来控制,IGBT通过电压来控制。SCR需要电流脉冲驱动开通,一旦开通,通过门极无法关断。4、
开关
频率不同: SCR的开关时间较长,所以频率不能...
GTO、GTR、
MOSFET
、
IGBT
分别表示什么电力电子元件,试给出各元件的主要...
答:
MOSFET (电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性高于GTR但是电流容量小。
MOSFET 开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好
,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,不存在二次击穿问题
电流容量小,耐压低
,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(...
晶闸管
和
IGBT
有什么区别?
答:
晶闸管
(SCR)和
IGBT
(绝缘栅双极晶体管)都是功率半导体器件,用于电能控制和
开关
应用,但它们在工作原理、
特性
和应用方面存在一些关键区别:1. 工作原理:- SCR:晶闸管是一个双极器件,工作原理基于自维持的电流冲击触发。一旦触发,它会继续导通,直到电流降至或降为零。SCR只能导通电流在一个方向。- ...
晶闸管
和
IGBT
有什么区别?
答:
1、比如,SCR晶闸管,它的控制电压相对阴极为正极性脉冲,脉冲宽度大约5μs ,幅度5v--10v;2、SCR晶闸管只能触发导通,不能触发关断,称之为半控器件;3、
IGBT晶闸管
,其结构为绝缘栅双极场效应晶体管,可以触发导通,也可以触发管断,所以称为全控器件;4、IGBT晶闸管优点:输入阻抗高、
开关
速度快、...
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