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简述mos管及其开关特性
为什么
mos管
具有
开关
速度快、开关功耗低等
特性
?
答:
低输入电流:MOSFET的栅极是电容性的,只需很小的电流就能充放电,因此它的输入功耗非常低
。这使得MOSFET在频繁开关和高效率要求的应用中非常有优势,如电源开关、放大器等。低导通电阻:MOSFET在导通状态时的电阻非常低,几乎可以看作一个理想导线。这降低了导通时的功耗,并有助于高效的电能传输。高阻断...
元器件-
开关管
答:
深入探讨:AO3401A
MOS管的开关特性
与电路设计</AO3401AMOS管作为电子元件中的关键
开关管
,其开启过程备受关注。门极阈值电压,即开启电压,当VDS=VGS且ID=-250微安时,这一阈值表现为:触发电压最小值:-0.5V典型值:-0.9V最大值:-1.3V为了实现导通,仅需在G极施加一个适当的触发电压,促使S极...
详解P沟道
mos管
与N沟道mos管
答:
P沟道
MOS管的开关特性
: 当栅源电压GS为-1V(S=2.8V, G=1.8V),相比于S=2.8V, G=2.8V的不导通状态,它需要一个负电压差(-0.4V)来导通。控制栅极GPIO的电压要求在2.4V以上以确保关断,而在1.8V以下则能实现导通,但精确度受限。工作原理对比: P沟道MOS管以正电压导通,反电压截止...
MOS管特性
,包括电流流向,沟道开启条件
答:
MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上。2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省
。3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种,凡栅极-源极电压为零时漏极电流也为零的管子,均属于增强...
mos管
起什么作用?
答:
MOS管的特性
开关特性
。MOS管是压控器件,作为开关时,NMOS只要满足Vgs>Vgs(th)即可导通,PMOS只要满足Vgs。开关损耗。MOS的损耗主要包括开关损耗和导通损耗,导通损耗是由于导通后存在导通电阻而产生的,导通电阻都很小。开关损耗是在MOS由可变电阻区进入夹断区的过程中,MOS处于恒流区时所产生的损耗。
干货| 这篇文章把
MOS管的
基础知识讲透了
答:
工作机制揭示</:耗尽型
MOS管
如同一个可变电容器,当栅极负偏时,电流ID减小;而增强型MOS管则相反,正偏栅极会促使电流ID增大。耗尽型MOS管工作时类似
开关
,正偏导通,负偏则截止;增强型则在正偏时像开关打开,零偏或负偏时截止。
特性
曲线的揭秘</:耗尽型的VI特性曲线展示沟道宽度如何影响电流,而...
请问四种
mos管的开关特性
答:
功率管一般是4.5V, Vg-Vs>4.5V。截止时电压最好为0, 任何浮动都可能导致放大态而迅速发热。所以N型s极经常接地,g极常有弱下拉。同理P型管要让它饱和导通或深度截止,S-G的压差也要维持在特定范围。3.
开关
电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外,就是让所产脉冲符合上述要求的电压。
MOS管
怎样控制它的
开关
状态?
答:
P型
MOS管的
导通条件:靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制,对于增强型场效应管来说,N沟道的管子加正向电压即导通,P沟道的管子则加反向电压。一般2V~4V就可以了。P沟道
mos管
作为
开关
,栅源的...
什么是
开关
状态的
mos管
?
答:
,一般来说,MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。3、
MOS管的开关
状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换(最佳),但也可以是恒流区和夹断区之间切换(不过不推荐,此时MOS管相当于工作在放大状态,外部电压大量加在DS上,导致UDS会很大,再加上电流,会引起MOS管明显发热)。
MOS管开关
电路?
答:
MOS管
也是三端压控元件,三端分别是G、D、S,可以等效于普通三极管的B、C、E三极,VGS的电压(=VG-VS)控制Mos
开关
状态:当VGS大于Von(开启电压,NMOS为2~4V,PMOS为-2~-4V)时就使得Mos打开,D& S两极之间导通,压降为零,阻抗较小,零点几欧姆;同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态,D...
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