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mos电压电流公式
mos
管的最大持续
电流
是如何确定的?
答:
MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值
。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。 与电压情况类似,即使系统产生尖峰电流,也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。 考虑的两个当前条件是连续模式和脉冲尖峰。 在连续导通模式下,MOS晶体管处于稳定状态,此时电流继续流经器件。脉冲尖峰是...
MOS
管漏极
电流
怎么计算?
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中
:ID 代表漏极电流(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。这个公式的详细解...
mos
管漏极
电流
怎么计算?
答:
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²
;式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
mos
管vds
电压
怎么计算
答:
mos管vds电压计算方法:根据P=I*I*R,得出I=10.3A
。所以MOS管的选型应Vds>272V,ID>10.3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压,也就是由原来的参考地改为以S作为参考。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话,改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了。Vds是场效应管漏极...
求解:增强型NMOS管的三个工作区的
电流电压
方程???
答:
(1)VGS=0, VDS=0:漏源间是两个背靠背串联的PN结,所以d-s间不可能有
电流
流过,即iD≈0。(2)当VGS>0,VDS=0时:d-s之间便开始形成导电沟道。 开始形成导电沟道所需的最小
电压
称为开启电压VGS(th)(习惯上常表示为VT)。沟道形成过程作如下解释:此时,在栅极与衬底之间产生一个垂直电场(方向...
饱和区
电流公式
答:
该
公式
是I=0.5*k*(W/L)*(Vgs - Vth)^2。I表示饱和区
电流
,k表示
MOS
管的电流增益系数,W/L表示MOS管的宽度和长度比,Vgs表示栅极
电压
,Vth表示阈值电压。饱和区电流是指在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的饱和区工作时的电流。这个区域通常出现在MOSFET的漏极和源极之间的电压超过其...
三极管放大是
电流
放大倍数,
mos
管
电压
控制电流,这电压和电流的数值有什么...
答:
三极管相当于一个
电流
控制的电流源,用基极电流去控制集电极电流。Ic=BIb,B是贝塔,三极管共射交流电流放大系数。而
MOS
管是一个
电压
控制的电流源,用Ugs去控制IDS,Ids=gmUgs,gm是MOS管的低频跨导。
mos
输出电阻r与
电流
的关系是什么
答:
MOS
(金属氧化物半导体)输出电阻(Rds)与
电流
之间存在一定的关系。在理想情况下,该关系可用如下形式描述:Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中:- Rds是MOS管的输出电阻;- R0是漏极电阻,代表了MOS管导通时的固有电阻;- Vgs是栅源
电压
;- Vth是阈值电压,表示MOS管开始导通的门源电压差;- ...
MOS
管的压降是指什么?2N60跟4N60相比哪个的压降大?
答:
MOS
的压降是指MOSFET饱和导通的时候,VDS=I*Ron的
电压
。一般是指静态的压降。知道导通阻抗和通过的
电流
的话用上面的
公式
就可以计算出来压降是多少了,一般在相同电流下,额定电流大的mosfET压降小。不要忘了前提条件。
MOS
管道通
电压
答:
MOS
管是
电压
控制型,双极型晶体管是
电流
控制型 从电路上分析,理论上Vgs=R2两端电压降Ur2=6.2*24/16.2=9.18V 这个电压与MOS管导通与否没有关系。
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