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pmos饱和电流公式
饱和
区
电流公式
答:
该公式是I=0.5*k*(W/L)*(Vgs - Vth)^2
。I表示饱和区电流,k表示MOS管的电流增益系数,W/L表示MOS管的宽度和长度比,Vgs表示栅极电压,Vth表示阈值电压。饱和区电流是指在MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的饱和区工作时的电流。这个区域通常出现在MOSFET的漏极和源极之间的电压超过其...
mos管
漏极
电流公式
答:
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²
;式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
饱和
光
电流
的计算
公式
是什么?
答:
饱和光电流计算公式为I=ne/t
。饱和光电流公式计算公式:I=ne/t,光电效应的光电流:金属物体在光的照射抄下发射电子,使金属带正电的现象叫光电效应。饱和光电流是指由光电效应所产生的电流,是在一定频率与强度的光照射下的最大光电流。属受到光照时,金属中电子吸收光子并利用这个光子的能量脱离金属...
迁移率单位换算
答:
迁移率单位换算:MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2
,算的时候注意单位统一,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级。迁移率是指载流子(电子和空穴)在单位电场作用下的平均漂移速度,即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度,运动得越快...
求问
MOS管
中电子在N沟道中的迁移率
答:
MOS管饱和区电流公式是Ids=0.5*u*Cox*W/L*(Vgs-Vth)^2
,算的时候注意单位统一,需要指出的是,你那单位面积的电容算错了,单位面积电容公式是Cox=ε(Sio2)/tox,其中ε(Sio2)的是10^-10F/m数量级,氧化层厚度算20nm的话,那这个电容应该就在0.01F/m^2的数量级,电子迁移率0.135m^2/(...
什么叫稳压管的
饱和电流
,击穿电流,发射系数
答:
应该是反向
饱和
漏
电流
吧?击穿电流 就是 反向电压击穿时的电流。发射系数 在平面波对平面边界垂直人射的情下,例如在传输线、波导及某些自由波的情形,波抗和特性阻抗的概念才是有用到的
理想
饱和电流
密度
公式
答:
J=I/S。理想
饱和电流
密度
公式
为J=I/S,I为电流,S为电流经过的截面面积,电流密度是描述电流强弱和方向的物理量,电流密度是矢量。
晶体管
饱和
区
电流公式
答:
具体
公式
为 Ic=(Vc-0.3)/(Rc-Re) 其中Vc为电源电压,0.3为晶体管
饱和
压降(按硅管计算),Rc为电源和集电极之间的电阻,Re为发射极和地之间的电阻。晶体三极管工作在饱和状态时,它的Ic只与集电极电源电压和集电极电阻、发射极电阻有关,和基极
电流
无关。
...门电路中求晶体管处深度饱和时的
饱和电流
的
公式
,我不明白为什么分母...
答:
在 TTL 门电路中,晶体管处深度饱和时的
饱和电流公式
为:Isat = Vcc / (Rb1 + Rb2 + Rc / β)其中,Vcc 是电路供电电压,Rb1 和 Rb2 是基极电阻,Rc 是集电极负载电阻,β 是晶体管的直流放大倍数。分母中加上 Rc 的原因是,晶体管处于饱和状态时,其集电极和发射极之间的电压非常低,约...
硅光电池的
饱和电流
怎么算
答:
1、确定硅光电池的面积A。2、确定硅光电池的开路电压V。3、确定普朗克常数h。4、确定入射光频率f。5、根据
公式
I_s=nqAV=nqAhf计算
饱和电流
I_s1。
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