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igbt的结构有什么特点
IGBT
模块的工作原理?
答:
IGBT工作原理:
IGBT的
等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOSFET截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。由此可知,IGBT的安全可靠与否...
请问
IGBT
、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路
有什么特点
答:
IGBT驱动电路的
特点
是:驱动电路
具有
较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,
IGBT的
驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗;关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压...
IGBT
晶体管中频熔炼技术突出
特点
答:
此外,
IGBT
中频电源的启动率高达100%,得益于其先进的技术、合理
的结构
和完善的保护功能,
包括
水压、水流、水温等多种自动保护,确保设备运行稳定且可靠。产品稳定性的提升还依赖于国际名牌元器件和高效的内循环冷却系统,有效降低设备故障率,节省维修成本。最后,这款设备在使用和维护上也非常便捷,其结构...
变频器
IGBT
和IGCT的区别在哪里
答:
1、IGCT
具有
电流大、阻断电压高、开关频率高、可靠性高、
结构
紧凑、低导通损耗等
特点
,而且造成本低,成品率高,有很好的应用前景。2、相对于IGBT而言,IGCT投放市场的时间较晚,应用也没有IGBT广,技术成熟度应该不如IGBT。目前
的 IGBT
和IGCT开、关损耗都差不多,构成的变频器,效率也差别不大。 要...
IGBT
,可控硅,MOSFET的工作原理,区别。
答:
mosfet是由电压控制器件,开关速度比三极管快,内阻比三极管低。所以适合做开关管,开关损耗低。
igbt
结构
上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些,特别是off time.但是,它容易做到高电压,大电流。所以,像动车组,电动汽车等都用它(反相击穿电压几千伏)。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。
基本的半导体器件
有哪些
?它们
的结构
、工作原理、功能
特点
?
答:
pn结二极管
结构
:其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理:由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场,当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场,因而其电流会很小,当外加电压由p型指向n型时,内建电场降低,电流可顺利通过pn结,形成单向导电
的特性
。
igbt的
主要参数
有哪些
?
答:
它是一种N沟道场效应管(绝缘栅型)晶体管,参数如下:极性:N沟道;漏极电流( Id)最大值: 10A (at 25℃)电压,(Vgs) 最大值:20V 开态电阻( Rds(on)): 典型值 0.48Ω 即Vgs=10V,Id=5.3A 电压, (Vds)最高:400V 功耗(P):2.5W 封装类型:TO 220 针脚数:3 晶体管类型:...
跪求电力电子器件SCR和
IGBT的特点
与区别
答:
SCR叫普通晶闸管。属于双极型的器件,阻断电压高,通态压降低,电流容量大,但工作频率低,使用大中容量变流设备。
IGBT
复合型器件,是GTR和MOS的混合也
具有
通态压降低,电流容量大的优点,更具有,输入阻抗高,响应速度快,控制简单的优点。SCR 频率最高才差不多十的四次方,但是功率很大,IGBT十的八...
功率半导体器件主要
有哪些
?
答:
常见的功率半导体器件及主要
特点
是
什么
?常见的功率半导体器件的主要特点是大功率,常见的功率半导体器件有二极管,晶闸管,GTO,VDMOS,BJT,
IGBT
,IGCT。从这些功率半导体器件的开关
特性
来说,分为三类。第一类是二极管,加上正向电压就接通,加上反向电压就断开,称为不控型器件,第二类是晶闸管,加上正向...
电磁炉中的1GBT管
有何
工作
特点
答:
散热片用于
IGBT
、整流桥发热器件的降温。高频变压器 电源转换器件,如损坏,会使5V、18V等电压没有或偏差太大。快速反应二极管 主要用于开关电源中,主要
特性
为工作频率高,开关导通速度 快,由于有些此管与1N4007外表像,使得两种容易混料、错插 件,造成故障主要有无电压输出,或工作一段时间后器件损坏...
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