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Cmos双稳态电路
cmos
开关原理为什么可以实现
答:
同时,vI又直接加到T1的源极S1上,于是vBS1=0,且与vI大小无关,从而消除了T1的衬底调制效应。T2为PMOSFET,虽然vB2=VDD,但因PMOSFET的衬底调制效应很小,故vBS2随vI变化对Ron的影响可略。图2 CMOS开关Ron与vI的关系 图3 含辅助
电路CMOS
开关电路 ...
TTL门和
CMOS
门悬空引脚如何处理?
答:
TTL门的输入引脚可以悬空,悬空状态的输入相当于高电平输入。
CMOS
输入引脚不能悬空,应接高电平或0。TTL和COMS
电路
比较:1、TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。2、TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。3、COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低...
CMOS
集成
电路
中,用两个电平触发D触发器组成的边沿触发器是否存在主从...
答:
【答案】:由
CMOS
集成
电路
的两电平触发D触发器构成的边沿触发器的工作方式与主从触发的D触发器的工作方式是完全相同的,都是将CLK分成两拍来工作的,在CLK的第一拍(低电平)期间,FF1是一个透明D锁存器,Q1的状态一直跟随D的状态变化。也就是说,如果D中出现干扰也势必反映到Q1(Q'1)而导致Q1(Q'1...
主存储器的分类中RAM为何叫做随机存储器,动态和静态的(DRAM和SRAM)又...
答:
持数据完整性。SRAM内部采用的是
双稳态电路
的形式来存储数据。所以SRAM的电路结构非常复杂。制造相 同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因为如此,才使其发展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU 内部的一级缓存以及内置的二级缓存。仅有少量的网络服务器以及路由器上能够使用SRAM。
cmos
集成工艺为什么能将陷阱注入放到sti工艺之后
答:
CMOS
集成
电路
的基础工艺之一就是双阱工艺,它包括两个区域,即n-MOS和p-MOS 有源区,分别对应p阱和N阱,在进行阱注入时,产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性,即首先采用高能量、大剂量的离子注入,注入的深度约为 1um,注入区域与阱相同,随后通过大幅降低注入能量及剂量,...
CMOS
反相器的
电路
结构是怎样的?它有哪些特点?
答:
反相器是可以将输入信号的相位反转180度,这种
电路
应用在模拟电路,比如说音频放大,时钟振荡器等。
CMOS
反相器CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成,其中V1为NMOS管,称驱动管,V2为PMOS管,称负载管。 NMOS管的栅源开启电压UTN为正值,PMOS管的栅源开启电压是负值,其数值范围在2~5V之间。为了...
TTL
电路
与COMS电路有什么不同,各有什么特点?
答:
TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管,晶体三极管)和电阻构成,具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列,后来出现了74H系列,74L系列,74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点,正逐渐被
CMOS电路
取代。 TTL门电路有74(商用)和54(军用)两个系列,每个系列又...
在数电中使用的扩展方法能否用于TTL门
电路
?
答:
·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小一、CMOS反相器 由本书模拟部分已知,MOSFET有P沟道和N沟道两种,每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或
CMOS电路
。 下图表示CMOS反相器电路,由两只增强型MOSFET组成,其中一个为N沟道结构,另一个为P沟道结构。为...
如何用555定时器定时3秒钟
答:
使用单
稳态电路
即可。如下图所示:根据上图电路,正常时,3脚为低电平,当S按下后,3脚为高电平,经一定延时后恢复低电平,从而实现所需要的功能。
门
电路
工作原理?
答:
·场效应管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要小一、CMOS反相器由本书模拟部分已知,MOSFET有P沟道和N沟道两种,每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或
CMOS电路
。 下图表示CMOS反相器电路,由两只增强型MOSFET组成,其中一个为N沟道结构,另一个为P沟道结构。为了...
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