55问答网
所有问题
当前搜索:
迁移率和电阻率有什么关系
电阻率与迁移率关系
答:
电阻率与迁移率关系:电阻率决定于载流子的浓度和迁移率
。电阻率决定于载流子的浓度和迁移率,两者均与杂质浓度和温度有关,故电阻率是杂质浓度和温度的函数。
半导体的本征半导体
电阻率
是如何变化的?
答:
拿其电阻率来说,
电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率,两者均与杂质浓度和温度有关系
。讨论纯半导体材料是,电阻率主要取决于本证载流子浓度ni,ni随温度升高会急剧增加,室温左右时,每8℃,硅的ni会增加大约一倍,而迁移率只是稍有下降,所以可以认为起电阻率相应的降低了一半左右。对于锗,每增加12...
分析本征半导体
电阻率与
载流子浓度
迁移率和
温度
有什么关系
答:
决定
电阻率
温度
关系
的主要因素是载流子浓度和
迁移率
随温度的变化关系。在低温下:由于 载流子浓度指数式增大(施主或 受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时 电阻率随着温度的升高而下降。在 室温下:由于施主或 受主杂质已经完全电离,则 载流子浓度不变,但迁...
拓扑绝缘体线性磁
电阻
现象有哪些
答:
通过研究不同致密度的薄膜材料,发现在很大迁移率范围内,线性磁电阻和材料迁移率间存在普遍
关系
,即同一材料中,磁
电阻和迁移率
都随温度增加而减小(图3左)。而不同致密度薄膜材料中,磁电阻和迁移率成正比关系,而且磁电阻越小,迁移率也越小(图3右)。这些结果说明迁移率的涨落导致了典型线性磁电...
为
什么
本征半导体的
电阻率具有
负的温度
系数
答:
决定电阻率温度关系的主要因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系
。在低温下,由于载流子浓度指数式增大(施主或受主杂质不断电离),而迁移率也是增大的(电离杂质散射作用减弱之故),所以这时电阻率随着温度的升高而下降。本征半导体特点:电子浓度=空穴浓度(掺杂的半导体,在一定条件下(例如高温下)也...
导体的
电阻率
答:
一、
电阻率与
材料性质的
关系
1、金属材料 金属材料的电阻率通常较低,这是因为金属中的电子迁移容易,导电性能好。2、半导体材料 半导体材料的电阻率可以比金属高几个数量级,因为其载流子(如电子和空穴)浓度低,
迁移率
有限。3、电介质材料 电介质材料的电阻率非常高,因为它们缺乏可供电子迁移的自由...
载流子的
迁移率和
浓度的单位分别是
什么
答:
迁移率
越大,
电阻率
越小,通过相同电流时,功耗越小,电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率,因此,功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构,而不采用空穴作为载流子的p沟道结构. 二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁...
电导率
迁移率
多大
答:
电导率
迁移率
是18.2MΩ.cm。计算公式如下:X是电导率,F是法拉第常数,Ci是某种离子浓度,Zi是离子的电荷数,Ui指离子迁移率X=FΣCiZiUi理论上,完全不含离子的超纯水在25oC时电导率为0.055μS/cm。
电阻率
是电导率的倒数。
为
什么
半导体温度越高
电阻率
越小
答:
不能简单地说,半导体的
电阻率
是温度的单调递减函数。在温度较低时,杂质没有完全电离,这时随温度升高,杂质电离增加直到完全电离,这段以载流子增加为主,所以电阻率降低;随后温度升高,虽然本征激发开始,但载流子
迁移率
的下降对电阻率的升高影响更大,所以这段会使电阻率升高;最后,温度的升高使本征...
为
什么
P型半导体的
电阻率
比N型大
答:
而在半导体内,空穴的
迁移率
远远小于电子的迁移率,常温下,硅中空穴迁移率为450cm/V/S,电子迁移率为1450cm/V/S,所以P型半导体表现出的
电阻率
比N半导体大得多。举例来说,硅体内掺相同剂量的磷和硼,比如1E15cm-3,则掺磷的N型半导体的电阻率为3~5欧姆厘米,而掺硼的P型半导体电阻率则为10...
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
迁移率和导电能力
常用金属电阻率表
电子迁移率对电流的影响
电迁移率又叫
载流子浓度与迁移率的关系
电迁移率越高迁移率越大
影响电子迁移率的因素
si电子迁移率
电迁移率一般为多大