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场效应管的漏极电流
场效应管
利用什么控制
漏极电流
答:
场效应管
是通过加在栅极和源极之间的电压UGS,来控制
漏极电流
ID,这种控制关系可以表示为:ID=gm*UGS,gm称为跨导,单位为西门子。因此场效应管被称为电压控制型器件。对应于三极管的电流控制关系IC=β*IB,三极管常称为电流控制型器件。场效应管是电压控制器件,也叫单极性晶体管,参加工作只有多数载流子...
MOS管
漏极电流
怎样算的?
答:
ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中:ID 代表
漏极电流
(Drain Current)。μn 是电子迁移率,反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS
管的
阈值电压。这个公式的详细解...
ido是什么
电流
答:
静态工作状态下
场效应管的漏极电流
。IDO是指场效应管(FET)在静态工作状态下的漏极电流。当场效应管的栅极-源极电压(VGS)等于两倍的阈值电压(2VT)时,对应的漏极电流被称为IDO。在FET中,阈值电压(VT)是一个重要参数,表示了控制器件导通或截止所需的门源偏置。VGS小于2VT时,FET处于截止状态...
场效应管的漏极电流
是由的漂移运动形成的。
答:
场效应管的漏极电流
是由的漂移运动形成的。A.少子 B.多子 C.两种载流子 正确答案:A
电路里ids是什么意思?
答:
IDS是电路中的一个术语,全称为漏极
漏电流
(Drain-Source Leakage Current),是指场效应管中
的漏极电流
,一般情况下,漏极电流被认为是非常小的,可以忽略不计,但实际上,漏极电流会随着
场效应管的
工作时间变长而变大,直到达到一定程度时,会导致场效应管的失效。因此,在电路设计中,需要尽可能地...
mos管
漏极电流
怎么计算?
答:
MOSFETS饱和时候
的漏极电流
公式:I=(1/2)UnCox(W/L)*(Vgs-Vth)²式中:Un:为电子的迁移速率。Cox:为单位面积栅氧化层电容。W/L:氧化层宽长比。Vgs-Vth:为过驱动电压。
5N60C三级
管的
三个极和
管子的
参数
答:
5N60C是N沟道MOS
场效应管
,参数为:1、
漏极电流
4.5A;2、D-S耐压600V。常用于开关电源中作开关管。电动车充电器也是用开关电源的,该管估计也是充电器的开关管。
场效应管漏极电流
(直流)ID,是什么条件下
的
电流?
答:
场效应管的漏极电流
ID是场效应管的输出电流,在漏源电压VDS、栅源电压VGS不为0时,漏极电流ID不为0。场效应管输出特性曲线分为三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区。VDS较小时,场效应管工作在可变电阻区,ID近似随VGS作线性变化。VDS较大时,工作在恒流区,ID保持稳定,不随VGS的变化而改变。当...
MOS的源极和
漏极
有什么区别?
答:
1、电流流向不同。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压,N区中的多子(也就是电子)可以导电。它们从源极S出发,流向漏极D。2、作用不同。电流方向由D指向S,称为
漏极电流
ID.。由于导电沟道是N型的,故称为N沟道结型
场效应管
。场效应管(包括结型和绝缘...
场效应
晶体
管漏极电流
越大越好吗?
答:
场效应
晶体
管漏极电流
不是越大越好。根据查询相关公开资料信息显示,场效应晶体管漏极电流应根据实际需要调整,场效应晶体管漏极电流越大跨导越大,电压越小,跨导越大,对场效应晶体管损耗越大,电流小则相反。
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