大家好,我用SG3525做了一个开关电源 原理图大致如下图所示:
我的前级不是用的电池二是用的低压整流得到的。
情况及问题如下:
1.我前级用肖特基二极管MBR10100搭建的整流桥,后级用快恢复二极管FEP16FT和FEP16TDA搭建的整流桥,工作在6A(150W)下时测得效率为86%,其中MBR整流桥发热可接受,但是快恢复整流桥发热严重。
2. 我想象将后级改为肖特基MBR1060搭的桥的可能会提高效率,但是我改正后发现效率急剧下降,只有56%左右。我发现此时PWM的占空比只有不到10%,MOS管温度急剧上升,后级MBR的整流桥温度也上来了。前级的MBR整流桥温度没什么变化。
3. 我的PWM波的频率在19KHZ。
4. 我先前想是不是由于MBR10100的反应速度跟不上导致的,后来在网上看到肖特基二极管的反向恢复时间比快恢复二极管还要短,应该不存在速度跟不上的问题。
5. 我前级交流电压在28V这些样子,整流后35V。
我想不到其他的什么原因了,有老大家帮忙一起分析一下,感谢
与反向耐压值有什么关系呢?
追答如果反向耐压不足(在还不至于击穿的情况下),反射漏电流就很大,功率消耗在整流二极管上(功率场效应管和变压器等相关元器件功耗也加大),整流二极管和功率场效应管会很烫,效率也显著下降。
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