现在最快的晶体管有多快呢

在网上找到两篇报道

一、
美将半导体速度刷新至845G
2006-12-15 10:25:46 来源:新浪科技
据国外媒体报道,美国伊利诺大学香槟分校的研究者宣布,他们已制造出目前世界最快的晶体管,这种磷化铟与砷化铟镓制造的的新型晶体管速度达845GHz,较之前的记录超出约300GHz。这一速度是在-55℃获得的,室温下该晶体管可以运行在765GHz。
除了新型材料外,这种晶体管的制造工艺也更为精良,基部仅有12.5纳米。
伊利诺大学Holonyak教授职位(新浪科技注:1962年美国通用电气公司的Holonyak博士发明了世界上第一支发光二极管,即LED)的Milton Feng指出:“新型晶体管利用了伪晶基部和集电极区域的坡度效应。”利用新研发的装置,他宣称晶体管已趋近太赫兹(THz,即1000GHz)的“圣杯”。

二、
AMD发布世界速度最快的CMOS晶体管
2001-12-7 上午 09:41:09
美国AMD公司日前成功开发了面向微处理器等高速LSI的栅极长度为15nm的CMOS晶体管(下图为其截面照片)。载流子从源极到达漏极的时间(栅极延迟时间)在nMOS晶体管中仅为0.29ps。换算为单个晶体管的工作速度相当于3.4THz,比 美国英特尔公司于2001年11月发布的同等栅极长度的nMOS晶体管(2.63THz工作速度)更快,达到了MOS晶体管世界最快速度。
同样 由AMD公司试制的pMOS晶体管的栅极延迟时间为0.63ps,相当于1.47THz工作速度,这一产品也达到了世界最快速度。另外,根据对有关未来半导体技术进行预测的ITRS(国际半导体技术指标)的规划,预计到2010年,栅极长度为15nm的晶体管将达到实用水平。

觉得有点不解:
1、AMD在01年已开发了3.4T的晶体管了,为何伊利诺大学香槟分校在06年研制的845G又说是最快的呢,很大的矛盾啊,两者都好象不是吹水的吧;
2、伊利诺大学香槟分校搞出来的应该是三极管吧,应该要比AMD的CMOS管要快(同一个时代的技术来说),CMOS的优势在于体积小,易集成,抗干扰,但从两篇文章看来CMOS要比同时代的三极管要快多了,是什么原因呢,请各位高手指教。

【晶体管分类】

按半导体材料和极性分类
按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。
按结构及制造工艺分类
晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。
按电流容量分类
晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。
按工作频率分类
晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。
按封装结构分类
晶体管按封装结构可分为金属封装(简称金封)晶体管、塑料封装(简称塑封)晶体管、玻璃壳封装(简称玻封)晶体管、表面封装(片状)晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。
按功能和用途分类
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。

造(上海)有限公司,在上海张江高新科技园区举行了“中芯第一芯”投产庆典,庆祝第一片8英寸、0.25微米以下线宽(指芯片上晶体管之间的距离,越短则同一个芯片上可排列的晶体管越多,技术水平越高)的芯片上线生产。
2001年,贝尔实验室发明了世界上第一个分子级晶体管,从而成为继1947年发明,标志着通信和技术新时代到来的晶体管之后的又一个科学里程碑。
2001年7月18日,青岛晶体管实验所开岛城科研院所改制之先河:130名职工出资100万元将其买断,斯时,这个实验所在国有体制下经营了35年。
2001年6月,IBM宣布单个硅锗晶体管的工作频率达到210GHz,工作电流1mA,比上一代硅锗晶体管速度提高了80%,功耗降低了50%。
2001年,Avouris等人利用此法制造成功了世界上第一列碳纳米管晶体管1451。
2001年4月,IBM公司宣布1世界上每一个碳纳米材料晶体管俘列,从而使“分子计算机”的理想于始走向现实。
2001年4月,IBM公司宣布世界上第一个碳纳米材料晶体管阵列,从而使“分子计算机”的理想开始走向现实。
如2001年北京市某区的模拟题中,设置了一个自认为无误的选项:A.半导体纳米晶体是体积仅有几纳米大小,比目前微电路中使用的晶体管小得多的一种分子团。

2000年英特尔公司推出“奔腾4”处理器,运行速度高达1.5GHz,集成的晶体管数量高达4200万,每秒运算量高达15亿次。
2000年 11月,容纳4200万个晶体管的奔腾4处理器的诞生,其卓越的创新使处理器技术跨入了第7代。
2000年 12月,英特尔公司率先在业界开发出栅极长度为30nm的单晶体管;2001年6月,英特尔又将这一纪录提高到20nm;同年 11月 26日,英特尔宣布已开发出栅极长度仅为15nm的新型晶体管,同时单个晶体管的实际工作频率已经能达到2.63THz。
到了2000年,每个设计工程师进行新设计时的生产率仅增加了一倍,为2683个晶体管/周,而采用IP模块进行设计的生产率约为30000个晶体管/周。
到了2000年,每个设计工程师进行新设计时的生产率仅增加了一倍,为2683个品体管/周,而采用IP模块进行设计其生产率约为30000个晶体管/周[l“
到了2000年,每个设计工程师进行新设计时的生产率为2683个晶体管/周,而采用IP进行设计其生产率约为30000个晶体管/周,效率提高非常明显,可以说IP重用是重要的生产力要素。
同时,毫米波功率晶体管可能在2000年前后转到小批量的试制生产。
预计到2000年左右,全球将有1GDRAM和可包含500亿只晶体管的单片系统问。
2000年初,美国贝尔实验室开发出50 nm向晶体管,该晶体管建在晶片表面,电流垂直流动,在晶体管的两个相对的面各有一个门,从而提高了运算速度。
例如,2000年中国从马来西亚进口的28.8亿美元的机电产品中,一半以上是显像管、晶体管和集成电路。

随着1999年9月第一批(TFT-LCD)彩色液晶显示器的产出,中国内地不能生产薄膜晶体管彩色液晶显示器的历史宣告结束。
早在1999年,富士通投入8亿美元在本州建成了一座可以生产超薄晶体管的工厂,那些平薄如纸的晶体管全部用于制造柔软的可卷曲的塑料液晶。

1999年初 全国各高空台站开始使用晶体管回答器。

1998年,国际商用机器公司托马斯·沃特森研究中心的费宗·阿武里斯和荷兰德尔夫特科技大学的塞斯·德克尔证实,单个碳纳米管具有晶体管功用。
自从1998年碳纳米管应用于制作室温下场效应 晶体管以来,对碳纳米管制作纳米尺度的分子器件的研究得到了长足的发展。

据1998年2月26日(科技日报》的报导,美国桑迪亚国家实验室根据量子物理的基本原理制造出量子晶体管样管,较好地解决了批量生产的工艺问题。
1998年3月 英特尔公司制成包含 7 0 2亿个晶体管的集成电路芯片 这表明集成度这一微电子技术的重要指标 在不到 40年内便提高了 70 0 0万倍。

1997年,包含750万个晶体管的奔腾 处理器面世。
1997年,Intel推出了包含750万个晶体管的奔腾 处理器,这款新产品集成了IntelMMX媒体增强技术,专门为高效处理视频、音频和图形数据而设计。
1997年 Intel推出了包含750万个晶体管的奔腾 处理器,集成了英特尔MMX媒体增强技术,专门为高效处理视频、音频和图形数据而设计。
1997年,Intel推出了包含750万个晶体管的奔腾 处理器。
在1997年,每个设计工程师进行新设计时的生产率为1100个晶体管/周,而采用IP模块进行设计的生产率为2100个晶体管/周。
我们试制了具有较高输入阻抗的晶体管放大器,1997年7月29日在主站端试用,结果激活了至周浜站的通道,连续数天的通信不中断。
微处理器技术另一个突破是芯片制造技术的革新,IBM于1997年9月22日宣布了用铜代替铝制造晶体管的新工艺,使电子线路体积更小,从而速度更快,效能更高。
1997年9月IBM公司宣布研制成功种铜鹜代铝制作晶体管的新生产工艺。
自1997年起经过各厂家、用户等有关部门的共同努力,目前全国绝大部分省局已经使用晶体管回答器。

1995年底开鲜的晶体管构造计划,于1996年6月,第一批产靛经测试是非常成功的。
1995年该厂上了两台单仓式晶体管高压静电除尘器,用在成品两台球磨机上。

1995年11月9日首先对其中一台晶体管励磁装置进行改造。
如索尼公司1995年掌握了晶体管方面的核心专长,生产出第一代晶体管收音机,体积小,每台标价仅29.95美元,做到了价廉物美,迅速占领了世界市场。

1994年初美国LSI公司研制成功集成度达900万个晶体管的逻辑芯片,0.5μm3V
日本松下公司最早用STM制作10nm质量硅量子线,1994年在瑞士召开的国际纳米工程会议上,首次展示用STM探针制作的晶体管单元电路。

【晶体管开关的作用】

一)控制大功率
现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率,使用功率晶体管作为开关有很多优点,主要是;

(1)容易关断,所需要的辅助元器件少,

(2)开关迅速,能在很高的频率下工作,

(3)可得到的器件耐压范围从100V到700V,应有尽有.

几年前,晶体管的开关能力还小于10kW。目前,它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力,改进了功率晶体管的性能。如

(1)开关晶体管有效芯片面积的增加,

(2)技术上的简化,

(3)晶体管的复合——达林顿,

(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。 、

(二)直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关

晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。

在这样的大功率电路中,存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。

(三)简单和优化的基极驱动造就的高性能

今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管,还保护功率晶体管,称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括:

(1)开通和关断功率开关;

(2)监控辅助电源电压;

(3)限制最大和最小脉冲宽度;

(4)热保护;

(5)监控开关的饱和压降。
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第1个回答  2007-12-20
晶体管只是transistor的一个翻译 快说的是一个叫transit frequency的概念 是transit time的倒数,the both which描述了半导体载流子随着尽可能大的交变高频输入 放大率碑拓绝对值为1的时候的穿越频率或者穿越时间。当然可以用s parameter的S21这个量来理解放大率 ,或者如果是交流电路的话用h矩阵的h21来理解
这个量是和半导体材料,构造分不开的。 第一个所说的是他们研究出了新的材料
“磷化铟与砷化铟镓” 事实上这些半导体材料已经运用的很普遍,只是没人用它来刷这个纪录很无聊 类似中国人做20米长筷子申请吉尼斯
第2个呢 说的是cmos 晶体管的数据,事实上 cmos是指互补型mos连接 我估计他想说的是mos晶体管 mosfet的意思,这里晶体管早已失去晶体管的意思,只是起的作用还是硅pnp/npn三及管的及其连接方法
这个就比较牛了 因为传统认为mos的速度上比双极三极管还是有差距的,现在的超高速mos可以速度上不差 功耗还是一如既往的小 可以看作是计算机产业发展的新一动力。本回答被提问者采纳
第2个回答  2007-12-13
这个,应当是分类不同吧~
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