骁龙845性能跑分出炉，提升显著
高通新一代旗舰SoC骁龙845的性能表现终于在一款三星SM-G965U1设备的GeekBench 4跑分中得以揭示。这款设备据推测应为Galaxy S9+，配备了6GB内存。
该设备的芯片组型号为SDM845，从ARM implementer 81可辨识为骁龙Kryo核心，而非误改型号。在三星S9+上，骁龙845的单核成绩为2422分，多核达到8351分，尽管与苹果A11相比仍有差距，但相较于前代骁龙835、Exynos 8895以及麒麟970（数据来源于快科技手机客户端）的对比，单核提升了约20%，多核提升了约28%，与高通预设的24%~30%性能提升目标相符。
在细节方面，密码/整数/浮点性能都有不同程度的提升，但内存性能保持稳定，这可能与骁龙845在内存方面的优化相对保守有关。值得一提的是，骁龙845在能效方面表现出色，相比骁龙660/835在高负载下的发热和功耗有所降低，显示出其优秀的能效比。
最后，根据彭博社的报道，三星S9计划在2月份的MWC大会上发布，随后在3月份上市，而搭载骁龙845的小米7则预计会在明年春季发布。
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