关于SIM900的TXD,RXD的TTL电平转换问题。

这是我在网上查到的一张SIM900的电平转换匹配电路,但是我并不理解3.3V TTL是如何转换为5V TTL的。?
请各位指点一二。
另外,如果我简化电路,由SIM-TXD作为三极管的基极,5V电压作为集电极,是否能起到相同作用。?

第1个回答  2015-04-04
我大概分析下哈。图上TXD路的MOSFET应该是P沟道的,所以G级低电平导通,TXD线路由SIM900控制,MOSFET的D与G接通,可以简单的理解为一个D级控制的下降沿开关,这样当串口起始位下降沿由sim900发出后,MOSFET导通,5V网络与3.3V网络形成连通,电流从5V流向3.3V形成下降沿进而形成了串口“起始位”。发送路通!
继续说RXD路,我猜想SIM900的RXD路上应该是有10K的上拉电路的,所以怎么觉得这儿的MOSFET应该用N沟道的才合适,这样才能形成低电平导通的逻辑,当5V网络的RXD有下降沿时,MOSFET导通,电流从SIM900流向5V,这样才能形成“起始位”,但是电路就是这样的,我就不知道了。接收路不通!本回答被提问者和网友采纳