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单粒子效应的分类?
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第1个回答 推荐于2016-02-18
单粒子效应种类很多,主要有单粒子翻转、单粒子锁定和单粒子烧毁、单粒子栅击穿等。单粒子翻转是单个高能粒子作用于半导体期间,引发器件的逻辑状态发生异常变化。单粒子锁定,是单粒子效应的一种,单粒子入射产生的瞬态电流会导致设备功能性损坏。单粒子烧毁是场效应管漏极-源极局部烧毁,属于破坏性效应。单粒子栅穿,是指在功率MOSFETs器件中,单粒子导致在栅氧化物中形成导电路径的破坏性的烧毁。
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什么是
单粒子效应?
答:
单粒子效应是指单个高能粒子穿过微电子器件的灵敏区时造成器件状态的非正常改变的一种辐射效应,
包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子烧毁、单粒子栅击穿等
。
什么是深层充放电效应、
单粒子效应???
答:
单粒子效应
SEE (Single even t effect) 是粒子辐射的另一类电离效应。当高能重离子穿过半导体存储器的灵敏体积时, 它在单位距离上产生很高的电离密度, 有可能产生足够的电荷使存储态翻转, 导致存储信息的错误, 这就是所谓的单粒子扰动SEU (Single even t up set) , 有时也称之为软错误, 这类错误...
多核处理器的大气中子
单粒子效应
答:
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如单粒子翻转
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单粒子锁定,是
单粒子效应的
一种,单粒子入射产生的瞬态电流会导致设备功能性损坏。单粒子锁定主要发生于CMOS器件中。CMOS器件的PN-PN四层结构形成了寄生可控硅结构,正常情况下,寄生的可控硅处于高阻关闭状态。单个带电粒子入射产生的瞬态电流触发可控硅结构使其导通,由于可控硅的正反馈特性使电流不断增大,...
单粒子效应的
危害
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单粒子效应
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