第1个回答 2010-07-27
场效应管的原件要比晶体管小得多。晶体管就是一个小硅片。但是场效应管的结构要比晶体管的要复杂。场效应管的沟道一般是几个纳米，也就是说场效应管的“硅片”的制作更加复杂而且体积要比晶体管小的多。但是话又说回来。工业制造场效应管的集成电路要比晶体管的要简单得多。而且集成密度要比晶体管的要大得多。场效应管是电压控制电流的晶体管是电流控制电流型的。一般不可以直接代换的。除非稍微改变一下电路结构。谢谢。至于结构可以找图片在百度上。哦还有MOSFET就是场效应管的意思，简称MOS。而双结型晶体管简称为BJT。结型场效应管简称为JFET。希望你可以用上。呵呵本回答被提问者采纳
第2个回答 2010-07-23
1）场效应管是一种压控器件，由栅源电压UGS来控制漏极电流ID；而晶体三极管是电流控制器件，通过基极电流IB控制集电极电流IC。
（2）场效应管参与导电的载流子只有多子，称为单极性器件；而晶体三极管除了多子参与导电外，少子也参与导电，称为双极性器件。
因此，场效应管受温度、辐射等激发因素的影响小，噪声系数低；而晶体三极管容易受温度、辐射等外界因素影响，噪声系数也大。
（3）场效应管直流输入电阻和交流输入电阻都非常高，可达数百兆欧以上；三极管的发射结始终处于正向偏置，总是存在输入电流，因此基极b与发射极e间的输入电阻较小，一般只有几百欧至几十千欧。
（4）场效应管的跨导较小，当组成放大电路时，在相同的负载电阻下，电压放大倍数比晶体三极管低。
（4）场效应管的结构对称，漏极和源极可以互换使用，而各项指标基本上不受影响。如果制造时场效应管的衬底与源极相连，其漏极与源极是不可以互换使用的。但晶体三极管的集电极与发射极是不能互换使用的。
（5）场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成。特别是MOS电路，每个MOS场效应管的硅片上所占的面积只有晶体三极管的5%，因此集成度更高。此外，场效应管还有制造成本低、功耗小等优点。
第4个回答 2010-07-21
主要是场效应管适合集成电路
自己百度下场效应管不就知道干什么用了