韩国巨头三星电子近日在上海的技术论坛上宣布了新的晶圆代工策略，旨在争夺大陆IC设计厂的订单。三星强调，今年年底前，10纳米制程将投入生产，并利用最先进的极紫外光（EUV）技术进行7纳米制程，特别针对物联网和汽车电子提供低功耗的28纳米FD-SOI制程。
以往主要生产自有芯片的8寸晶圆厂三星，现在也计划开放，竞逐模拟IC和LCD驱动IC等领域的代工订单。与之相比，尽管台积电、联电、力晶等已在大陆设立晶圆厂，但三星电子主要投资于西安的闪存制造，暂无在大陆设立晶圆代工厂的计划。
三星在全球的晶圆代工基地主要集中在韩国的S1（8寸）、美国得州的S2（12寸）以及京畿道华城市的S3（12寸）工厂。三星计划在晶圆代工方面，今年月产能可达13.5-14万片12寸晶圆及19万片8寸晶圆，并预计到2017年底产能增长约15%。
面对台积电的10纳米和7纳米制程挑战，三星宣布10纳米制程试产将在今年底开始，跳过浸润式微影技术的7纳米，直接采用EUV微影技术，预计到2018年底，EUV技术的日产能将达到1500片晶圆。三星认为，EUV技术的采用能更好地控制成本，有助于争取先进制程的代工订单。
三星看准了中国在移动支付、无人机、电动车、自动驾驶等领域的发展潜力，计划在2018年第二季度开始提供支持物联网和汽车电子的28纳米FD-SOI制程。此外，三星还将开放8寸厂产能，利用其内存市场优势，提供65纳米嵌入式闪存和70纳米高压制程，积极争取大陆市场对模拟IC、CMOS图像感测器、LCD驱动IC等产品的代工订单。
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