如题所述
|GBT驱动电压高，18V，要不然会炸管的，并联MOSFET要加电阻，驱动功率也要提升才行
IGBT的驱动15V，太高了容易损坏门极。这个并联加电阻和驱动功率，应该是鱼和熊掌不能兼得吧？要是都能同样成本完成任务，那现在就没有大功率管了。