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钝化对迁移率的影响
禁带宽度对半导体器件有哪些
影响
?
答:
3. 工作温度范围:禁带宽度还会
影响
半导体器件的工作温度范围。通常,禁带宽度较宽的半导体材料可以在高温条件下工作,而禁带宽度较窄的材料则更适合低温应用。4. 电子
迁移率
:禁带宽度还影响了电子的迁移率,即电子在半导体中的移动速度。通常,禁带宽度较宽的材料具有较低的电子迁移率,而禁带宽度较窄的...
禁带宽度对半导体
有什么影响
答:
3. 工作温度范围:禁带宽度还会
影响
半导体器件的工作温度范围。通常,禁带宽度较宽的半导体材料可以在高温条件下工作,而禁带宽度较窄的材料则更适合低温应用。4. 电子
迁移率
:禁带宽度还影响了电子的迁移率,即电子在半导体中的移动速度。通常,禁带宽度较宽的材料具有较低的电子迁移率,而禁带宽度较窄的...
陶瓷位错密度对性能
影响
答:
楼位错存在有一串悬挂键,接受电子而成为--串负电中心,起受主作用。2、位错是散射载流子的中心:位错除了有一定的施主、受主和杂质补偿的作用以外,位错所造成的晶格畸变是散射载流子的中心,将严重散射载流子,影响
迁移率
。不过在位错密度位错对陶瓷材料性能
的影响
)离子半径是与Ti4+离子半径相近的。
单晶硅片和多晶硅片之间
有什么
差异?
答:
单晶片即硅的单晶体,具有基本完整的点降结构的晶体是一种良好的半导体材料用于制造半导体器材,太阳能电池等。而多晶片就是指集中不同类型的半导体组成的半导体晶片。单晶体硅片内部只由一个晶料粒构成。单晶硅片的转化效率比多晶硅片的要高,一般高出2%以上,因此,单晶的价格也比多晶的高一些。像...
si-h,si-h2哪个对
钝化
效果有
影响
答:
我们知道,铁、铝在稀HNO3或稀H2SO4中能很快溶解,但在浓HNO3或浓H2SO4中溶解现象几乎完全停止了,碳钢通常很容易生锈,若在钢中加入适量的Ni、Cr,就成为不锈钢了。金属或合金受一些因素
影响
,化学稳定性明显增强的现象,称为
钝化
。由某些钝化剂(化学药品)所引起的金属钝化现象,称为化学钝化。如浓...
电泳与电镀的区别
答:
电泳与电镀原理不同、作用不同。1、原理不同 电镀是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程。电泳利用带电粒子在电场中移动速度不同而达到分离的技术。2、作用不同 电镀可提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性(硫酸铜等)及增进美观等作用。电泳用于小分子物质的分离分析。电镀是...
禁带宽度对于半导体器件
有什么影响
呢?
答:
3. 工作温度范围:禁带宽度还会
影响
半导体器件的工作温度范围。通常,禁带宽度较宽的半导体材料可以在高温条件下工作,而禁带宽度较窄的材料则更适合低温应用。4. 电子
迁移率
:禁带宽度还影响了电子的迁移率,即电子在半导体中的移动速度。通常,禁带宽度较宽的材料具有较低的电子迁移率,而禁带宽度较窄的...
臭氧与负离子
有什么
区别
答:
1、颜色不同 臭氧:气体明显地呈蓝色,液态呈暗蓝色,固态呈蓝黑色。负离子:无色。2、气味不同 臭氧:具有独特的腥臭味。负离子:无味。3、来源不同 臭氧:大气层中的氧气发生光化学作用,便产生了臭氧,并在离地面垂直高度15~25千米处形成臭氧层;负离子:是放电现象的产物,自然界中的闪电。光电...
电泳和电镀的区别是什么,哪个好
答:
电泳与电镀原理不同、作用不同。1、原理不同 电镀是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程。电泳利用带电粒子在电场中移动速度不同而达到分离的技术。2、作用不同 电镀可提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性(硫酸铜等)及增进美观等作用。电泳用于小分子物质的分离分析。电镀是...
为什么掺杂会是金属性变为半导体
答:
外半导体材料导电性外界条件(热、光、电、磁等素)变化非敏据制造各种敏元件用于信息转换半导体材料特性参数禁带宽度、电阻率、载流
迁移率
、非平衡载流寿命位错密度禁带宽度由半导体电态、原组态决定反映组种材料原价电束缚状态激发自由状态所需能量电阻率、载流迁移率反映材料导电能力非平衡载流寿命反映...
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