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绝缘栅双极晶体管特点
绝缘栅双极晶体管
有哪些
特点
答:
绝缘栅双极
型
晶体管
IGBT是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。其具有如下
特点
:1、输入阻抗高,驱动功率小。2、开关速度快。3、驱动电路简单。4、工作频率高。5、导通压降较低、功耗较小。6、能承受高电压大电流。7、热稳定性好。IG...
绝缘栅双极晶体管
有哪些
特点
?
答:
绝缘栅双极
型
晶体管
IGBT是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于电压型驱动器件。其具有如下
特点
:1、输入阻抗高,驱动功率小。2、开关速度快。3、驱动电路简单。4、工作频率高。5、导通压降较低、功耗较小。6、能承受高电压大电流。7、热稳定性好。IG...
绝缘栅双极晶体管
有哪些
特点
答:
绝缘栅双极晶体管
的
特点
,具体如下:1、输入阻抗高,驱动功率小。2、开关速度快。3、驱动电路简单。4、工作频率高。5、导通压降较低,功耗较小。6、能承受高电压大电流。7、热稳定性好。绝缘栅双极型晶体管:是一种由单极型的MOS和双极型晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点,属于...
rjp6065 是什么电子元件
答:
绝缘栅双极
型
晶体管
是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率
特性
介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在...
IGBT的驱动电路有什么
特点
?
答:
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称
绝缘栅双极晶体管
,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点
:击穿电压可达1200V,...
igbt和sic有什么区别
答:
IGBT和SiC是两种不同的功率半导体材料,它们的主要区别在于使用的材料及其带来的性能差异。首先,IGBT,即
绝缘栅双极晶体管
,是一种传统的硅基功率半导体器件。它结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和双极型功率晶体管的
特点
,具有驱动功率小、开关速度快、工作电压高等优点。因此,IGBT在电力转换、...
igbt是什么意思
答:
igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor。igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor,
绝缘栅双极
型
晶体管
的意思。它相当于电路开关,具有稳定控制电压,耐压性强等热点,多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。igbt是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率...
IGBT是什么元件
答:
IGBT,
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上...
IGBT的驱动电路有什么
特点
答:
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全工作区大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称
绝缘栅双极晶体管
,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
特点
:击穿电压可达1200V,...
igbt是什么意思?
答:
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),
绝缘栅双极
型
晶体管
,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但...
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