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晶体管特性曲线测试仪
对于小功率
晶体管
,UCE大于1V的一条输入
特性曲线
可以取代UCE大于1V的所...
答:
集电结的电场已足够强,可以将发射区注入基区的绝大部分非平衡少子都收集到集电区,因而再增大Uce,Ic也不可能明显增大了,也就是说,Ib已基本不变。因此Uce超过一定数值后,曲线不再明显右移而基本重合。2.输入
特性曲线
是三极管的Uec为一定值,如0V,1V。然后改变Ube的值,从而得到相应的Ib值。
晶体管
DB3是什么
答:
图2 单结晶体管的结构示意图和等效电路 工作原理和特性曲线 当b1—b2.间加电源VBB,且发射极开路时,A点电位及基极b2的电流为: 式中η称为单结晶体管的分压比,其数值主要与管子的结构有关,一般在0.5~0.9之间。图3 单结
晶体管特性曲线
的
测试
当e一b1电压Ueb1为零或(Ueb1< UA...
三极管输出
特性曲线
的饱和区,我很费解!
答:
我一开始和楼主有一样的困惑,到底是什么饱和了。后来看了楼上的帖子比较清楚了。导致学生产生这样的困惑原因在于这幅图上同时展示了一组
曲线
,再加上对三个区域(饱和区,放大区,截止区)的边界的讲的不透彻(到底是什么变量决定了工作在哪个区域)。因此,应该按照下面的逻辑来理解。先看一条曲线,...
为什么说静态工作点对
晶体管
特别重要?
答:
输出电压u0 (即uce)的负半周出现平顶畸变,称为饱和失真。若Q点偏低,则Q"进入截止区,输出电压u0的正半周出现平顶畸变,称为截止失真。饱和失真和截止失真统称为非线性失真。温度对Q点的影响:当
晶体管
所处环境温度升高时,晶体管内部载流子运动加剧,因此将造成放大电路中的各参量将随之发生变化。
晶体管
的输出
特性
,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫饱和区,而...
答:
当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,算一下电源Vcc除以RC的值,得到的就是饱和电流,只要电流Ic小于饱和电流,就处于放大区;只要电流Ic大于...
静态工作点对放大电路性能的影响
答:
)。不匹配的波形,输出电压u0为(uce)平顶畸变的负半周,称为饱和畸变。如果Q点过低,则Q”进入截止区,输出电压u0正半周出现平顶畸变,称为截止畸变。饱和畸变和截止畸变统称为非线性畸变。温度对Q点的影响:当
晶体管
的环境温度升高时,晶体管中载流子的运动增强,因此放大电路中的参数也随之改变。
四路温度测量电路
答:
第二十二节数字式电容
测试仪
第二十三节可控硅快速测试仪 第二十四节二极管、三极管快速在线测试器 第二十五节数字万用表附加频率测试仪 第二十六节电阻快速测估电路 第二十七节简易线圈匝数
测量仪
第二十八节宽量程数字式电容测量仪 第二十九节心音脉搏测量电路 第三十节
晶体管特性曲线
描绘仪 本回答由提问者推荐 已赞...
静态工作点对放大电路性能的影响
答:
)。不匹配的波形,输出电压u0为(uce)平顶畸变的负半周,称为饱和畸变。如果Q点过低,则Q”进入截止区,输出电压u0正半周出现平顶畸变,称为截止畸变。饱和畸变和截止畸变统称为非线性畸变。温度对Q点的影响:当
晶体管
的环境温度升高时,晶体管中载流子的运动增强,因此放大电路中的参数也随之改变。
放大电路的静态工作点通常是指哪三个直流量
答:
间电压 Uce称之为静态工作点Q,常将Q点记作IBQ、ICQ(或IEQ)、UBEQ、UCEQ。静态工作点是直流负载线与
晶体管
的某条输出
特性曲线
的交点。随IB的不同而静态工作点沿直流负载线上下移动。根据式Uce=Ucc-RcIc,在Ic/Ucc上画出直流负载线,再画出在IB情况下的晶体管输出特性曲线,交点即静态工作点。
模电如何根据他们的输出
特性曲线
和转移特性曲线来分场效应管
答:
导致了场效应
管特性曲线
不同的原因是,场效应管工作时栅极一般只需要一个电压就可以,电流很小或者为零,所以,要实现这点,结型场效应管和MOS型采用不同的办法实现了这个效果。结型场效应管的工作原理,N沟道结构型场效应管的结构及符号,由于PN结中的载流子已经耗尽,故PN基本上是不导电的,形成了...
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