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晶体管具有三个区
复合
晶体管
达林顿(Darlington)晶体管
答:
因为使用了两个晶体管)。但两个晶体管可以放置在一个隔离区,这在集成中是有利的。总之,达林顿
晶体管具有
高电流增益和高输入电阻,但同时也存在输出电阻低、跨导小、频率特性差和占用IC芯片面积增加等缺点。不过,通过合理设计和应用,达林顿晶体管依然在集成电路领域发挥着重要作用。
晶体管
内部工作条件对各区掺杂浓度的要求是什么?为什么?
答:
为了保证常规的Si双极型
晶体管
(BJT)
具有
放大作用,它的发射区必须高掺杂(1019~1020/cm3,高于基区两个数量级或者更多);集电区(外延层)掺杂浓度一般较低,需要考虑耐压,一般为1015~1016/cm3。各区掺杂浓度的选取,是BJT设计中的一个重要内容。
MOS管和
三极管有
什么区别?
答:
三、特点不同 1、MOS管:MOS管的source(源极)和drain(耗尽层)是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。2、
三极管
:是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。参考资料来源:百度...
pmos
晶体管
电压最高的区域为
答:
漏极带。因为在PMOS
晶体管
中,漏极带是电压最高的区域,这是因为漏极带是与负电源相连的区域,在PMOS晶体管中,当栅极电压低于源极电压时,漏极到源极之间的pn结会正向偏置,形成导通通道,电流可以从漏极流向源极,而当栅极电压高于源极电压时,漏极到源极之间的pn结会反向偏置,导通通道被截断,...
电力
晶体管
GTR工作区间跟信息电子中
三极管
的工作区间有什么区别?
答:
2、信息电子中
三极管
的工作区间:信息电子中三极管的工作区间在有源区或放大区。二、输出功率不同 1、电力
晶体管
GTR工作区间:电力晶体管GTR工作区间小,使得输出功率小。2、信息电子中三极管的工作区间:信息电子中三极管的工作区间大,使得输出功率大。三、延迟时间不同 1、电力晶体管GTR工作区间:电力...
什么是场效应管
答:
场效应
晶体管
:简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。
具有
输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出...
晶体管
的输出特性,为什么ic随着Uce增大有明显的增大的区域叫饱和区,而...
答:
当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时
三极管
已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,算一下电源Vcc除以RC的值,得到的就是饱和电流,只要电流Ic小于饱和电流,就处于放大区;只要电流Ic大于...
半导体工作原理
答:
晶体管三个
极电流与内部载流子电流的关系: 共发射极直流电流放大倍数:共基极直流电流放大倍数:换算关系:晶体管的放大能力参数 晶体管的极电流关系 描述:描述: 4.4.2 晶体管的伏安特性 一,输出特性 放大区(发射结正偏,集电结反偏 )共发射极交流电流放大倍数:共基极交流电流放大倍数:近似关系:恒流输出和基调效应...
场效应管怎么分上管下管?
答:
极间电容场效应管
三个
电极之间的电容,它的值越小表示管子的性能越好。极限参数 漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时,产生雪崩击穿时的UDS。 栅极击穿电压结型场效应管正常工作时,栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态,若电流过高,则产生击穿现象。编辑本段型号命名
有
两种命名方法。 第一种命名方法与双极型
三极管
...
晶体管
基区输运系数公式
答:
晶体管
基区输运系数等于集电极电流除以基极电流。晶体管基区输运系数表示了晶体管的放大能力,是衡量晶体管性能的重要参数。
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