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晶体管三个工作区特点
...
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晶体管
有几
个工作区
?电压、电流各有什么特
答:
NPN:c,b,e 截止:Vb < Ve;饱和:VB > Ve,Vc < VB;放大:Vc > VB > Ve 电流方向:b->e,c->e PNP管反过来即可。
结型场效应
晶体管
的
工作
特性
答:
当Vds较低时,JFET的沟道呈现为电阻特性,是所谓电阻
工作区
,这时漏极电流基本上随着电压Vds的增大而线性上升,但漏极电流随着栅极电压Vgs的增大而平方式增大;进一步增大Vds时,沟道即首先在漏极一端被夹断,则漏极电流达到最大而饱和(饱和电流搜大小决定于没有被夹断的沟道的电阻),这就是JFET的...
功率MOS场效应
晶体管
的与双极型功率晶体管对比
答:
2. 开关速度:场效应管无少数载流子存储效应,温度影响小,开关工作频率可达150KHz以上;功率
晶体管
有少数载流子存储时间限制其开关速度,工作频率一般不超过50KHz。3. 安全
工作区
:功率场效应管无二次击穿,安全工作区宽;功率晶体管存在二次击穿现象,限制了安全工作区。4. 导体电压:功率场效应管属于高...
MOS
晶体管
(二)
答:
MOSFET的安全
工作区
与二极管整合 MOSFET的安全工作区呈矩形,受功率损耗和温度影响。在桥式拓扑中,pin型二极管并非理想选择,需要通过短路基极-发射极结来处理寄生npn
晶体管
的影响。制造技术中的存储电荷和二极管峰值电流问题可通过调整载流子寿命来改善,但可能影响生产流程。FREDFET通过减少反并联二极管的存储...
晶体管
安全
工作区
由哪几条边界围成
答:
静电放射区(ESD)、湿度限制区(HRL)、温度限制区(TRL)以及物理损伤防御区(PDL)。
晶体管
安全
工作区
由四条向外延伸的边界组成,分别为静电放射区(ESD)、湿度限制区(HRL)、温度限制区(TRL)以及物理损伤防御区(PDL),这四条边界可以有效地保护晶体管元件,防止出现由于不规则的操作而导致的损坏。此外,这...
igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响
答:
VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流 范围 内,IC与VGE呈 线性关系 。IGBT与MOSFET的对比:MOSFET全称 功率场效应
晶体管
。它的
三个
极分别是 源极 (S)、漏极 (D)和栅极(G)。主要优点:热稳定性好、安全
工作区
大。缺点:击穿电压低,工作电流小。IGBT全称 ...
当知道
三极管三
端电压时,如何判断是截止去放大区还是饱和区
答:
三极管
构成的放大电路,在实际应用中,除了用做放大器外(在放大区),三极管还有两种
工作
状态,即饱和与截止状态。截止状态所谓截止,就是三极管在工作时,集电极电流始终为0。此时,集电极与发射极间电压接近电源电压。对于NPN 型硅三极管来说,当U be在0~0.5V 之间时,I b很小,无论I b怎样变化,...
电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种
晶体管
的优缺点请尽量稍微的详...
答:
电压、电流容量大,适用于大功率场合,具有电导调制效应,其通流能力很强 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲电流大,开关速度低,驱动功率大,驱动电路复杂,开关频率低 GTR(电力
晶体管
)耐高压,电流大开关特性好 mosfet(电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要驱动功率小,开关速度快,
工作
频率高,热...
...
3
、
晶体管
电大电路中设置静态
工作
点的必要性;
答:
Rc是集电极置电阻,向集电结提供反向偏置电压Vcb、将集电极电流Ic变化转为Vce电压变化以供输出。三极管其电流放大作用。电容器通交隔直,提供交流信号通道。RL是负载。
3
)
晶体管
电大电路中设置静态工作点的目的:1、
三极管工作
在线性
工作区
,即发射结正偏、集电结反偏。2、是输出信号尽可能大,非线性...
晶体管
饱和状态的对于FET(包括JFET和MOSFET等)
答:
晶体管
就进入饱和导通状态,输出电流最大、并饱和,同时跨导也最高——放大
工作区
。值得注意,FET在饱和状态时沟道的夹断与没有沟道是两回事。沟道在漏端被夹断后,并不是不能导电,因为夹断区实际上就是一个存在电场的耗尽区,只要载流子(多数载流子)一到达耗尽区边缘,...
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