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已知图示电路中晶体管的
如图所示
,
已知
Ucc=10V,
晶体管的
放大倍数=70,欲使IcQ=2MA试选择各
电路中
...
答:
Re设为1K。Rb2为3.5K。Rb1为10K。
...Rc=4KΩ、Rb=300KΩ、RL=4KΩ、β=50。求:
晶体管的
静态工作点...
答:
(1)求静态工作点 IBQ、ICQ、UCEQ ① IBQ=UCC/RB=12V/300K=0.04mA ② ICQ=βxIBQ=50x0.04=2mA ③ UCEQ=UCC-ICQxRC=12V -2mA x 4KΩ=4V (2)微变等效
电路
(3)求动态 ri、ro、Au 值 ① ri=RB//rbe rbe=300+(1+β)26/IEQ=300+(1+50)26/2=963Ω=0.93KΩ ri≈...
...
电路
如图P2.12所示,
晶体管的
β=80,rbe =1kΩ。 最后输出电阻Ro怎样...
答:
输出电阻计算有加压求流法及负载对比法等。这里使用的是加压求流法 放大器输入信号为零时,从输出端看进去,看到的就是输出电阻。加上一个虚拟电压,计算所产生的的电流,电压电流比就使输出电阻,这就是加压求流法,详见以下截图。用这个(3.7.11)公式,就能得到37Ω结果。
2.
电路如图所示
,
电路中的晶体管
β=60
答:
(1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ。本
图所示电路
静态工作点的求解公式:1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是
已知
(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明,一般就按硅管来算),但是在本题中,你漏了一个重要...
在一放大
电路中
,测得一
晶体管的
三个电极的对地电位分别为-6V、-3V...
答:
记住这个规律:PNP:Ue>Ub,Ue>Uc,如果导通则,Ueb=-0.7V(-0.2V);NPN:Ue<Ub,Ue<Uc,如果导通则,Ube=+0.7V(+0.2V);
已知晶体管
I的三个管脚的电位分别为3.8, 3.2, 9,请判别其类型及三个...
答:
若是npn管 由工作在放大状态的电压条件 (1)发射极要正偏 所以Vbe>0即 Vb-Ve>0,(2)同时集电极要反偏 所以Vcb>0, Vc-Vb>0,综上Vc>Vb>Ve,得知电压最大的是集电极,最小的是发射极;若在学习模拟
电路的
话 建议先仔细看书搞清楚bjt的放大的物理原理 后在分析这类问题就很简单了 ...
分析
电路中
各硅
晶体管的
工作状态(放大,饱和,截止或损坏)
答:
2. 当基极电压高于发射机电压0.7V时,发射结处于正偏,而集电极电压低于基极,导致集电结也处于正偏状态。因此,图1中的
三极管
工作在饱和状态。3. 如果发射结反偏,则三极管处于截止状态,如图2所示。4. 当发射结正偏电压超过0.7V时,可能表明发射结断开,导致三极管损坏,如图3所示。5. 发射结正...
测得放大
电路中
六只
晶体管的
直流电位
如图所示
。在圆圈中画出管子,并...
答:
首先Ube一般比较小,所以两个图的上端肯定是c。上图的|Ube|是0.7,下图的是0.2,硅
管的
Uon比锗管高,所以上图为硅管,下图为锗。上图:如果左端为b,管子为NPN,那么发射结正偏,集电结反偏,Ube>Uon,符合放大工作条件。反过来,如果左端为e,管子为PNP,发射结正偏,集电结也是正偏,饱和...
在放大
电路中
,
晶体管的
β=60
答:
电压放大倍数理论值等于 40,实际值小于40(在30左右,看电流放大倍数)。输入阻抗 = (60 并 24) 并 (100R * 60倍放大)略等于 4.44K 输出阻抗应该 = 4K + 6K = 10K。
放大
电路中
,
晶体管的
β=60
答:
输入电阻:Ri=(Rb1//Rb2)//(61*100)=4.45kΩ。输出电阻:Ro=Rc=4kΩ。电压放大倍数:Au=(β*Rc)/((1+β)*Re+Rbe)。大概35倍左右。个人不怎么喜欢画微变等效
电路
,你可以参照书上数的来画就行了。
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